[发明专利]发光二极管结构有效
申请号: | 201110438718.5 | 申请日: | 2011-12-19 |
公开(公告)号: | CN102569580A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 黄靖恩;罗信汯;林子晹 | 申请(专利权)人: | 新世纪光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/14;H01L33/10 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾台南*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管结构,特别是指一种可提高发光效率的发光二极管结构。
背景技术
光源为人类生活中不可或缺,随着技术的发展,具有更好照度及更省电的照明工具也逐渐应运而生。目前最常使用的照明光源为发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)。发光二极管为一种固态的半导体元件,利用电流通过二极管内产生的二种载子相互结合,将能量以光的形式释放出来。发光二极管具有体积小、省电、发光效率佳、寿命长、及操作反应速度快,并且具有无热辐射与水银等有毒物质的污染等优点,因此广泛被应用于各种范畴,尤其在提倡「节能减碳」的倡导诉求下,发光二极管的省电优越性便开始受到重视。在石化能源日渐短缺与环保意识高涨的今日,善用发光二极管已经是各界关切的焦点。
请参阅图1,其为现有技术的发光二极管的结构示意图;如图所示,现有的发光二极管包含一基板12,一第一半导体层14、一第二半导体层16与一导电层18,第一半导体层14设于基板12上方,第二半导体层16设于第一半导体层14上方,导电层18设于第二半导体层16上方。
现有更包含一第一金属电极22与一第二金属电极24,第一金属电极22是与n型的第一半导体层14形成欧姆接触,以连接至外部电源的负极,第二金属电极24则与p型的第二半导体层16上方的导电层18相连接,而第二金属电极24连接至外部电源的正极。当第一金属电极22与第二金属电极24通电时,第一半导体层14与第二半导体层16之间将产生一发光层而发光,而光线将由第二半导体层16上方发散出去。现有导电层18具有透明及导电的特性,用以将外部供应的电流均匀分布,以避免电流集中产生的能耗,然而,现有发光二极管的第二金属电极24并非透光的材质,故第二金属电极24将吸收部分光线,如此则会影响发光二极管的发光效率。
而为了提高发光二极管的发光效率,故此现有技术更设置一绝缘件32,绝缘件32位于导电层18与第二半导体层16之间,用以遮蔽第二半导体层16位于第二金属电极24的正下方所通过的电流,让第二半导体层16其他位置所通电流增加,如此则会使第二金属电极24的正下方的发光效率降低,而提升其他位置的发光效率。又,现有为了更提升发光效率,因此更设置至少一导电延伸件42导电延伸件42设置于导电层18的上方并与第二金属电极24相接设。如此可将通过第二金属电极24的电流通过导电延伸件42而均匀分布,以提升发光效率。
然而,导电延伸件42亦并非透光的材质,因此使发光层于发光时,由于导电延伸件42的设置造成吸收光线使得发光效率降低。且,现有技术更设置至少一绝缘延伸件34,绝缘延伸件34与绝缘件32相接设,绝缘延伸件34位于导电层18与第二半导体层16之间,绝缘延伸件34用以遮蔽第二半导体层16位于导电延伸件42所通过的电流绝缘延伸件34亦会吸收光线造成降低发光效率。
因此,本发明提供一种发光二极管结构,其是不但可让电流均匀的分布,并且可提高发光二极管的发光效率,以解决上述的问题。
发明内容
本发明的主要目的,在于提供一种发光二极管结构,其是通过至少一透光导电延伸件,以接于一导电层上方,如此可减少发光二极管所发的光线被吸收的情形,亦可让电流均匀分布,进而提高发光二极管的发光效率。
本发明的次要目的,在于提供一种发光二极管结构,其是于第二半导体层上方设置一绝缘件,绝缘件则位于金属电极下方,通过绝缘件以减少电流由金属电极下方流通,如此以减少金属电极下方的光线,以提升其他区域的光线,进而更提高发光二极管的发光效率。
本发明的技术方案是:一种发光二极管结构,包含:
一基板;
一第一半导体层,设于该基板上方;
一第一金属电极,设于该第一半导体层上方;
一第二半导体层,设于该第一半导体层上方并与该第一金属电极相邻;
一导电层,设于该第二半导体层上方;
一第二金属电极,设于该导电层上方;以及
至少一透光导电延伸件,设于该导电层上方并与该第二金属电极相接设。
本发明中,更包含一绝缘件,该绝缘件设于该第二半导体层上方并与该第二金属电极相对。
本发明中,其中该绝缘件的面积大于该第二金属电极的面积。
本发明中,更包含一绝缘延伸件,该绝缘延伸件设于该第二半导体层上方并接设于该绝缘件,该绝缘延伸件与该透光导电延伸件相对。
本发明中,其中该绝缘延伸件的面积大于该透光导电延伸件的面积。
本发明中,更包含一反射件,该反射件设于该绝缘件下方。
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