[发明专利]有机发光显示装置有效
申请号: | 201110438816.9 | 申请日: | 2011-12-12 |
公开(公告)号: | CN102569344A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 尹锡奎;黄圭焕;河载兴;宋英宇;李锺赫;金圣哲 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/786;H01L29/45 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.有机发光显示装置,包括:
衬底;
第一接线,沿着第一方向形成在所述衬底上;
第二接线和第三接线,沿着第二方向形成在所述衬底上;
第一薄膜晶体管,连接至所述第一接线和所述第二接线;
第二薄膜晶体管,连接至所述第一薄膜晶体管和所述第三接线;以及
有机发光二极管,连接至所述第二薄膜晶体管,
其中所述第二接线和所述第三接线由石墨烯形成。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一薄膜晶体管包括:
活性层,形成在所述衬底上;
栅极,形成在所述衬底与所述活性层相对应的位置上,并且与所述活性层绝缘;
绝缘层,覆盖所述栅极,并且具有连接至所述活性层的开口;以及
源极和漏极,形成在所述绝缘层上,并且通过所述开口连接至所述活性层,其中
所述源极和所述漏极包括埋置在所述开口中的第一部和形成在所述绝缘层上的第二部,而且
所述第一部和所述第二部由彼此不同的材料形成。
3.如权利要求2所述的有机发光显示装置,其中
所述第一部由选自Ti、Mo、Al和Cu构成的组中的至少一种金属形成,而且
所述第二部由石墨烯形成。
4.如权利要求2所述的有机发光显示装置,其中
所述第一部由选自ITO、IZO、ZnO、In2O3、SnO2和AlZnOx构成的组中的至少一种金属氧化物形成,而且
所述第二部由石墨烯形成。
5.如权利要求2所述的有机发光显示装置,其中
所述第二部连接至所述第二接线,而且由与所述第二接线相同的材料形成。
6.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第二薄膜晶体管包括:
活性层,形成在所述衬底上;
栅极,形成在所述衬底与所述活性层相对应的位置上,并且与所述活性层电绝缘;
绝缘层,覆盖所述栅极,并且具有连接至所述活性层的开口;以及
源极和漏极,形成在所述绝缘层上,并且通过所述开口连接至所述活性层,其中
所述源极和所述漏极包括埋置在所述开口中的第一部和形成在所述绝缘层上的第二部,而且
所述第一部和所述第二部由彼此不同的材料形成。
7.如权利要求6所述的有机发光显示装置,其中
所述第一部由选自Ti、Mo、Al和Cu构成的组中的至少一种金属形成,而且
所述第二部由石墨烯形成。
8.如权利要求6所述的有机发光显示装置,其中
所述第一部由选自ITO、IZO、ZnO、In2O3、SnO2和AlZnOx构成的组中的至少一种金属氧化物形成,而且
所述第二部由石墨烯形成。
9.如权利要求6所述的有机发光显示装置,其中
所述第二部连接至所述第三接线,而且由与所述第二接线相同的材料形成。
10.如权利要求6所述的有机发光显示装置,其中所述有机发光二极管包括:
像素电极,连接至所述漏极;
相对电极,面对所述像素电极形成;以及
发光元件,插入在所述像素电极与所述相对电极之间,并且产生可见光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的