[发明专利]有机发光显示装置有效
申请号: | 201110438816.9 | 申请日: | 2011-12-12 |
公开(公告)号: | CN102569344A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 尹锡奎;黄圭焕;河载兴;宋英宇;李锺赫;金圣哲 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/786;H01L29/45 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
优先权要求
本申请引用并要求之前于2010年12月20日向韩国知识产权局提交的题为“ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE(有机发光显示装置)”的第10-2010-0130930号申请的所有权益,其全部内容并入本文。
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置,更具体地涉及包含源极、漏极和接线的有机发光显示装置,其中源极、漏极和接线全部由石墨烯形成。
背景技术
有机发光显示装置由于其卓越的性能和特点(如宽视角、高对比度、快速响应、以及低功耗等)已经被广泛应用于个人移动设备,如MP3播放器、移动电话和电视。已经尝试制造透明有机发光显示装置。
特别地,当接线由不透明金属形成时,有机发光显示装置的透光度降低。此外,随着有机发光显示装置的分辨率增加,有机发光显示装置中接线所占用的面积比也随之增加,因此,当接线由不透明金属形成时,有机发光显示装置的透光度明显降低。
发明内容
为了解决以上和/或其他问题,本发明提供了对外部光具有高透光率的有机发光显示装置。
根据本发明的一个方面,提供了有机发光显示装置,包括:衬底;第一接线,沿着第一方向形成在所述衬底上;第二接线和第三接线,沿着第二方向形成在所述衬底上;第一薄膜晶体管,连接至所述第一接线和所述第二接线;第二薄膜晶体管,连接至所述第一薄膜晶体管和所述第三接线;以及有机发光二极管,连接至所述第二薄膜晶体管,其中所述第二接线和所述第三接线由石墨烯形成。
所述第一薄膜晶体管可包括:活性层,形成在所述衬底上;栅极,形成在所述衬底与所述活性层相对应的位置上,并且与所述活性层绝缘;绝缘层,覆盖所述栅极,并且具有连接至所述活性层的开口;以及源极和漏极,形成在所述绝缘层上,并且通过所述开口连接至所述活性层,其中所述源极和所述漏极包括埋置在所述开口中的第一部和形成在所述绝缘层上的第二部,而且所述第一部和所述第二部由彼此不同的材料形成。
所述第一部可由选自Ti、Mo、Al和Cu构成的组中的至少一种金属形成,而且所述第二部可由石墨烯形成。
所述第一部可由选自ITO、IZO、ZnO、In2O3、SnO2和AlZnOx构成的组中的至少一种金属氧化物形成,而且所述第二部可由石墨烯形成。
所述第二部可连接至所述第二接线,而且可由与所述第二接线相同的材料形成。
所述第二薄膜晶体管可包括:活性层,形成在所述衬底上;栅极,形成在所述衬底与所述活性层相对应的位置上,并且与所述活性层电绝缘;绝缘层,覆盖所述栅极,并且具有连接至所述活性层的开口;以及源极和漏极,形成在所述绝缘层上,并且通过所述开口连接至所述活性层,其中所述源极和所述漏极包括埋置在所述开口中的第一部和形成在所述绝缘层上的第二部,而且所述第一部和所述第二部由彼此不同的材料形成。
所述第一部可由选自Ti、Mo、Al和Cu构成的组中的至少一种金属形成,而且所述第二部可由石墨烯形成。
所述第一部可由选自ITO、IZO、ZnO、In2O3、SnO2和AlZnOx构成的组中的至少一种金属氧化物形成,而且所述第二部可由石墨烯形成。
所述第二部可连接至所述第三接线,而且可由与所述第二接线相同的材料形成。
所述有机发光二极管可包括:像素电极,连接至所述漏极;相对电极,面对所述像素电极形成;以及发光元件,插入在所述像素电极与所述相对电极之间,并且产生可见光。
根据本发明的另一方面,提供了有机发光显示装置,包括:衬底,具有透射区和像素区,外部光穿过所述透射区,所述像素区位于邻近所述透射区的位置;第一接线,沿着第一方向形成在所述衬底上,以穿过所述像素区;第二接线和第三接线,沿着第二方向形成在所述衬底上,以穿过所述像素区和所述透射区;第一薄膜晶体管,位于所述像素区中并且连接至所述第一接线和所述第二接线;第二薄膜晶体管,位于所述像素区中并且连接至所述第一薄膜晶体管和所述第三接线;像素电极,连接至所述第二薄膜晶体管,所述像素电极位于所述像素区中,并且被设置为覆盖所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管;相对电极,面对所述像素电极,并且允许光穿过所述相对电极,所述相对电极位于跨过所述透射区和所述像素区的位置;以及发光元件,插入在所述像素电极与所述相对电极之间,并且产生光,其中所述第二接线和所述第三接线由石墨烯形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星移动显示器株式会社,未经三星移动显示器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110438816.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件及其制造方法
- 下一篇:电荷耦合器件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的