[发明专利]负电源集成电路的静电放电保护电路有效
申请号: | 201110441711.9 | 申请日: | 2011-12-26 |
公开(公告)号: | CN102543995A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 王文泰;何明瑾 | 申请(专利权)人: | 创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电源 集成电路 静电 放电 保护 电路 | ||
1.一种用于负电源集成电路的静电放电保护电路,其特征是,其包含:
一负电压箝位电路,偏压于一第一电位与一第二电位间,用来提供一放电路径,其中该第一电位为一负电位,而该第二电位高于或等于一接地电位;
一第一路径控制单元,耦合于该集成电路的一第一负电源节点与该负电压箝位电路的该第一电位间,用来通过该放电路径来分路一第一静电放电暂态电流,其中该第一静电放电暂态电流于该第一负电源节点上的一第一负电压低于该第一电位时产生;以及
一第二路径控制单元,耦合于该第一负电源节点与一正电位间。
2.如权利要求1所述的静电放电保护电路,其特征是:
当该第一路径控制单元的一跨压超过一第一临界值时,该负电压箝位电路呈开启以提供该放电路径。
3.如权利要求1所述的静电放电保护电路,其特征是:
该第一与该第二路径控制单元包含二极管、金属氧化半导体晶体管、场效氧化半导体元件、双极接面晶体管或硅控整流器。
4.如权利要求1所述的静电放电保护电路,其特征是,另包含:
一正电压箝位电路,用来提供该正电位。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司,未经创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110441711.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的