[发明专利]超低压CMOS图像传感器像素单元及电压输入输出方法

权利要求书

1.一种超低压CMOS图像传感器像素单元，包括重置晶体管(M1)、光电二极管(D1)及它们中间接点与第一输出端之间的射极互连的源NMOS跟随晶体管(M2)和PMOS管(M3)，所述源NMOS跟随晶体管(M2)集电极电连接偏置电压(V_dd)，其特征在于，还包括射极互连的：

源PMOS跟随晶体管(M4)，基极电连接所述中间接点，集电极电连接地；

NMOS管(M5)，基极电连接选择信号(R_S)，集电极电连接第二输出端；所述选择信号(R_S)还电连接所述PMOS管(M3)的基极。

2.根据权利要求1所述超低压CMOS图像传感器像素单元，其特征在于，第一输出端电连接接地的饱和NMOS管(M7)，第二输出端电连接接所述偏置电压(V_dd)的饱和PMOS管(M6)。

3.根据权利要求1或2所述超低压CMOS图像传感器像素单元，其特征在于，第一输出端和第二输出端分别电连接集成放大器(A1)的各自对应输入端。

4.基于权1所述超低压CMOS图像传感器像素单元的电压输入输出方法，其特征在于，包括以下步骤：

施加V_DD＞V_IP+V_IN+2V_dsat的电源电压V_DD作为所述偏置电压(V_dd)，V_IP是所述源PMOS跟随晶体管(M2)的阈值电压，V_IN是所述源NMOS跟随晶体管(M5)的阈值电压，V_dsat是经过源电流的电压；

第一输出端电压(V_outn)和第二输出端电压(V_outp)共同构成了所述像素单元的输出电压V_out，其范围是：V_dsat＜V_output＜V_DD-V_dsat。

5.根据权利要求4所述电压输入输出方法，其特征在于，所述电源电压V_DD是1V，所述范围的大小是0.5～0.6V。