[发明专利]一种晶体生长的温度梯度控制装置及其方法

权利要求书

1.一种晶体生长的温度梯度控制装置，包括加热套(4)本体，在加热套(4)下部两侧分别设有连接腿(5)，由两个连接腿(5)分别连通正极和负极，所述加热套(4)呈筒形结构，在筒形结构加热套(4)的上部面(8)至下部均匀设有复数个上开口(3)，在筒形结构加热套(4)的底部面(7)至上部均匀设有复数个下开口(2)，形成上开口(3)位置对应两两下开口(2)之间，下开口(2)位置对应两两上开口(3)之间，其特征是：筒形结构的加热套(4)外部面由上至下为相同直径，加热套(4)的内面(1)为上部直径大于下部直径的上扩口结构，所述筒形加热套(4)的筒壁上部壁厚为下部壁厚的二分之一至四分之三之间形成对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。

2.根据权利要求1所述的晶体生长的温度梯度控制装置，其特征是：所述对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度的另一替换结构，所述加热套(4)呈筒形结构，在筒形结构加热套(4)的上部面至下部均匀设有复数个“V”形上开口(3)，在筒形结构加热套(4)的底部面(7)至上部均匀设有复数个下开口(2)，形成“V”形上开口(3)位置对应两两下开口(2)之间，下开口(2)位置对应两两“V”形上开口(3)之间。

3.根据权利要求1所述的晶体生长的温度梯度控制装置，其特征是：所述筒形结构的加热套(4)外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构。

4.根据权利要求1所述的晶体生长的温度梯度控制装置，其特征是：所述对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度的第三替换结构，所述加热套(4)呈筒形结构，在筒形结构加热套(4)的上部面至下部均匀设有复数个上开口(3)，在筒形结构加热套(4)的底部面(7)至上部均匀设有复数个下开口(2)，形成上开口(3)位置对应两两下开口(2)之间，下开口(2)位置对应两两上开口(3)之间，所述筒形结构的加热套(4)外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构。

5.实施权利要求1～4任一权利要求所述的晶体生长的温度梯度控制装置的一种晶体生长的温度梯度控制方法，其特征是：将筒形结构加热套(4)下部两侧连接腿(5)的连接电极孔(6)分别连通电源正极和负极，在筒形结构加热套(4)的上部面(8)至下部均匀设有复数个上开口(3)，在筒形结构加热套(4)的底部面(7)至上部均匀设有复数个下开口(2)，所述上开口(3)位置对应两两下开口(2)之间，筒形结构的加热套(4)外部面由上至下为相同直径，加热套(4)的内面(1)为上部直径大于下部直径的上扩口结构，获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度；

或所述加热套(4)呈筒形结构，在筒形结构加热套(4)的上部面至下部均匀设有复数个“V”形上开口(3)，在筒形结构加热套(4)的底部面(7)至上部均匀设有复数个下开口(2)，形成“V”形上开口(3)位置对应两两下开口(2)之间，下开口(2)位置对应两两“V”形上开口(3)之间，获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。

或所述筒形结构的加热套(4)外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构，获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。

或所述加热套(4)呈筒形结构，在筒形结构加热套(4)的上部面至下部均匀设有复数个上开口(3)，在筒形结构加热套(4)的底部面(7)至上部均匀设有复数个下开口(2)，形成上开口(3)位置对应两两下开口(2)之间，所述筒形结构的加热套(4)外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构，获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。

6.根据权利要求5所述的晶体生长的温度梯度控制方法，其特征是：所述加热套(4)为石墨材质。