[发明专利]一种晶体生长的温度梯度控制装置及其方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种晶体生长温度控制装置，具体地说本发明涉及一种晶体生长的温度梯度控制装置及其方法。

【背景技术】

已知的，在利用坩埚加热晶体材料时，加热套通常为圆形结构，在加热套的上部面开有多个间隔且等距至套体下部的开口，在加热套的下部面对应加热套上部面的两两开口之间位置开有多个间隔且等距至套体上部的开口，使所述加热套通过上部面开口和下部面开口形成条状迂回结构，在加热套的两侧或下部相对位置设置电极连接点；在实际对坩埚加热时，往往需要上部温度低于下部温度，以便使坩埚内的晶体材料由下至上融化，待到坩埚内的晶体材料全部溶化后且底部设置的引晶便可由底部开始逐渐结晶，形成所需按照顺序排列的晶体块，。

【发明内容】

为了克服背景技术中的不足，本发明公开了一种晶体生长的温度梯度控制装置及其方法，本发明通过将加热套的上部厚度小于下部厚度；或利用上开口上部拓宽；或将加热套的上部只作为喇叭状形成上部温度低于下部温度；本发明实现了对坩埚内的晶体材料由下至上融化。

为了实现上述发明的目的，本发明采用如下技术方案：

一种晶体生长的温度梯度控制装置，包括加热套本体，在加热套下部两侧分别设有连接腿，由两个连接腿分别连通正极和负极，所述加热套呈筒形结构，在筒形结构加热套的上部面至下部均匀设有复数个上开口，在筒形结构加热套的底部面至上部均匀设有复数个下开口，形成上开口位置对应两两下开口之间，下开口位置对应两两上开口之间；筒形结构的加热套外部面由上至下为相同直径，加热套的内面为上部直径大于下部直径的上扩口结构，所述筒形加热套的筒壁上部壁厚为下部壁厚的二分之一至四分之三之间形成对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。

所述的晶体生长的温度梯度控制装置，所述对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度的另一替换结构，所述加热套呈筒形结构，在筒形结构加热套的上部面至下部均匀设有复数个“V”形上开口，在筒形结构加热套的底部面至上部均匀设有复数个下开口，形成“V”形上开口位置对应两两下开口之间，下开口位置对应两两“V”形上开口之间。

所述的晶体生长的温度梯度控制装置，所述筒形结构的加热套外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构。

所述的晶体生长的温度梯度控制装置，所述对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度的第三替换结构，所述加热套呈筒形结构，在筒形结构加热套的上部面至下部均匀设有复数个上开口，在筒形结构加热套的底部面至上部均匀设有复数个下开口，形成上开口位置对应两两下开口之间，下开口位置对应两两上开口之间，所述筒形结构的加热套外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构。

一种晶体生长的温度梯度控制方法，将筒形结构加热套下部两侧连接腿的连接电极孔分别连通电源正极和负极，在筒形结构加热套的上部面至下部均匀设有复数个上开口，在筒形结构加热套的底部面至上部均匀设有复数个下开口，所述上开口位置对应两两下开口之间，筒形结构的加热套外部面由上至下为相同直径，加热套的内面为上部直径大于下部直径的上扩口结构，获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度；

或所述加热套呈筒形结构，在筒形结构加热套的上部面至下部均匀设有复数个“V”形上开口，在筒形结构加热套的底部面至上部均匀设有复数个下开口，形成“V”形上开口位置对应两两下开口之间，下开口位置对应两两“V”形上开口之间，获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。

或所述筒形结构的加热套外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构，获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。

或所述加热套呈筒形结构，在筒形结构加热套的上部面至下部均匀设有复数个上开口，在筒形结构加热套的底部面至上部均匀设有复数个下开口，形成上开口位置对应两两下开口之间，所述筒形结构的加热套外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构，获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。

所述的晶体生长的温度梯度控制方法，所述加热套为石墨材质。

通过上述公开内容，本发明的有益效果是：

本发明所述的晶体生长的温度梯度控制装置及其方法，通过将加热套的上部厚度小于下部厚度形成上部温度低于下部温度的温差；或利用上开口上部拓宽形成上部温度低于下部温度的温差；或将加热套的上部只作为喇叭状形成上部温度低于下部温度；本发明实现了对坩埚内的晶体材料由下至上融化。

【附图说明】

图1是本发明的立体结构示意图；

图2是本发明的结构示意图；