[发明专利]嵌入式闪存的字线的制造方法

权利要求书

1.一种嵌入式闪存的字线的制造方法，包括：

提供一基底，所述基底具有一晶胞区与一周边区；

于所述晶胞区的所述基底上形成多个第一栅极结构以及于所述周边区的所述基底上形成至少一第二栅极结构；

于所述基底上顺应性地形成一第一介电层，以覆盖所述多個第一栅极结构及所述第二栅极结构；

于各第一栅极结构及所述第二栅极结构的侧壁上形成一第一间隙壁；

于所述基底上顺应性地形成一第二介电层，以覆盖所述多個第一栅极结构及所述第二栅极结构；

仅于所述第二栅极结构的侧壁上形成一第二间隙壁；

移除部分所述第一介电层及部分所述第二介电层，直到露出所述多個第一栅极结构与所述第二栅极结构的顶面以及未被所述多個第一栅极结构及所述第二栅极结构覆盖的所述基底；

移除各第一栅极结构的上部；以及

于剩余的所述多個第一栅极结构的顶面、所述第二栅极结构的顶面以及露出的所述基底上形成一金属硅化物层。

2.如权利要求1所述的嵌入式闪存的字线的制造方法，其中各所述多個第一栅极结构包括依次堆叠在所述基底上的一穿隧氧化层、一第一导体层、一电荷储存层及一第二导体层，以及所述第二栅极结构包括依次堆叠在所述基底上的一栅氧化层以及一第三导体层。

3.如权利要求2所述的嵌入式闪存的字线的制造方法，其中移除各第一栅极结构的上部为移除部分所述第二导体层。

4.如权利要求2所述的嵌入式闪存的字线的制造方法，其中所述第一导体层、所述第二导体层、所述第三导体层的材料分别包括多晶硅。

5.如权利要求1所述的嵌入式闪存的字线的制造方法，其中所述金属硅化物层的材料包括硅化钴。

6.如权利要求1所述的嵌入式闪存的字线的制造方法，其中移除各第一栅极结构的上部的方法包括：

于所述基底上形成一抗反射涂层，以覆盖所述多個第一栅极结构与所述第二栅极结构；

移除部分所述抗反射涂层，以露出各第一栅极结构的顶面但未露出所述第二栅极结构；

于所述基底上形成一图案化光阻层，以覆盖所述第二栅极结构；

对所述多個第一栅极结构进行回蚀刻工艺，以移除各第一栅极结构的上部；以及

移除所述抗反射涂层及所述图案化光阻层。

7.如权利要求1所述的嵌入式闪存的字线的制造方法，其中仅于所述第二栅极结构的侧壁上形成所述第二间隙壁的方法包括：

于所述基底上形成一第二间隙壁材料层；

于各第一栅极结构及所述第二栅极结构的侧壁上形成所述第二间隙壁；

于所述基底上形成一图案化光阻层，以覆盖所述第二栅极结构；

以所述图案化光阻层为掩模进行蚀刻工艺，以移除各第一栅极结构的侧壁上的所述第二间隙壁；以及

移除所述图案化光阻层。

8.如权利要求7所述的嵌入式闪存的字线的制造方法，其中所述图案化光阻层的材料为负型光阻。

9.如权利要求7所述的嵌入式闪存的字线的制造方法，其中所述第二间隙壁材料层的材料包括四乙氧基硅氧烷形成的二氧化硅。

10.如权利要求1所述的嵌入式闪存的字线的制造方法，其中所述第一介电层的材料包括高温氧化物。

11.如权利要求1所述的嵌入式闪存的字线的制造方法，其中所述第一间隙壁及所述第二介电层的材料分别包括氮化硅。