[发明专利]光学邻近修正方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工业中的光刻制程，尤其涉及对制备掩膜过程中的光学邻近修正(Optical Proximity Correction，OPC)方法。

背景技术

集成电路制造技术是一个复杂的工艺，每隔18到24个月就会更新换代。表征集成电路制造技术的一个关键参数最小特征尺寸即关键尺寸(Critical Dimension)，从最初的125um发展到现在的0.13um甚至更小，这使得每个芯片上几百万个元器件成为可能。

光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是其中最复杂的技术之一。相对于其他的单个制造技术来说，光刻对芯片性能的提高有着革命性的贡献。在光刻工艺开始之前，集成电路的结构会先通过特定的设备复制到一块较大(相对于生产用的硅片来说)名为掩膜的石英玻璃片上，然后通过光刻设备产生特定波长的光(如波长为248nm的紫外光)将掩膜上集成电路的结构复制到生产芯片所用的硅片上。电路结构在从掩膜复制到硅片过程中，会产生失真，尤其是到了0.13um及以下制造工艺阶段，如果不去改正这种失真的话会造成整个制造技术的失败。所述失真的原因主要是光学邻近效应(OpticalProximity Effect，OPE)，即由于投影曝光系统是一个部分相干光成像系统，理想像的强度频谱幅值沿各向有不同的分布，但由于衍射受限及成像系统的非线性滤波造成的严重能量损失，导致空间像发生圆化和收缩的效应。

要改正这种失真，半导体业界的普遍做法是利用预先在掩膜上进行结构补偿的方法，这种方法叫做光学邻近修正(OPC)方法。OPC的基本思想是：对集成电路设计的图形进行预先的修改，使得修改补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的OPE效应。因此，使用经过OPC的图形做成的掩膜，通过光刻以后，在晶片上就能得到最初想要的电路结构。

在一些金属层图形的设计中，按照各金属线条的作用，往往需要在一些金属线条中设计凹凸结构。在对这些凹凸结构做OPC修正前，考虑到光的衍射作用，需要做一定量的缩进，即运行OPC程序时处理的对象是缩进后的图形而非实际图形。由于这些凹凸结构的尺寸会根据各个厂家的设计而定，没有统一的规格，而现有的OPC工艺中，仅仅是做缩进处理，却没有给出缩进量的具体值，导致光罩生产厂家在对这些凹凸结构进行OPC处理时，出现缩进过大或过小的误差，严重影响OPC修正的准确度。

请参见图1A至图1C，图1A是客户提供的原始图形数据，在图中标识出来的中间金属线条出现了凹凸结构1。图1B是经过缩进处理后的示意图，该缩进处理中，对凹凸部分的第一缩进量为18nm，其它部位的第二缩进量为12nm。图1C对缩进后的图形进行仿真OPC处理后的仿真图。可以看到缩进处理后的金属线条与实际所要得到的金属线条误差比较大，在本例中达到30nm左右，这对于OPC修正来说，是不能接受的。

因此有必要对现有的金属线条修正方法进行改正，以提高修正处理中的准确度。

发明内容

有鉴于此，本发明提出了一种光学邻近修正方法，该修正方法能够减少因凹凸结构对金属线条的光学邻近修正处理中的带来的缩进量误差，提高光学邻近处理过程的准确度。

根据本发明的目的提出的一种光学邻近修正方法，包括步骤：

提供一有多条金属线条组成的金属层图形，该金属层图形对应于包括凹凸结构的金属线条；

将所述金属层图形上对应于所述金属线条的尺寸进行缩进处理，其中在对应于所述凹凸结构处缩进第一缩进量，非对应于所述凹凸结构处缩进第二缩进量；

对所述金属层图形进行仿真光学邻近修正，得到仿真的修正图形；

判断所述仿真的修正图形中金属线条的仿真尺寸与实际尺寸之间的差别；

根据所述差别修改第一缩进量和/或第二缩进量的值；

以调整至所述差别为零时的第一缩进量、第二缩进量对该金属层图形进行缩进。

上述方法中，通过判断光学邻近修正后，仿真图形与实际图形之间的差别，修改对金属线条中的缩进量，使缩进量能够达到光学邻近修正的最佳效果。从而避免因凹凸结构对OPC处理带来的影响，大大提高了OPC处理的准确度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1A是客户提供的原始图形。