[发明专利]涂布方法、涂布装置以及存储介质有效
申请号: | 201110446759.9 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN102592969A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 宫田亮;原圭孝;藤村浩二 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 方法 装置 以及 存储 介质 | ||
1.一种涂布方法,其将溶剂中溶解有涂布膜的成分的涂布液从喷嘴供给至基板来形成涂布膜,该涂布方法的特征在于,
使用以在先批次用的喷嘴和随后批次用的喷嘴通过共同的移动机构成为一体并在液处理单元的上方与待机区域之间移动的方式构成的装置,包括:
对被搬入至第1液处理单元的在先批次的最后的基板从在先批次用的喷嘴供给涂布液的工序;
之后,将在先批次用的喷嘴与随后批次用的喷嘴一起移动至待机区域的工序;
在进行所述移动工序的过程中,使在先批次用的喷嘴吸入气氛的气体,在该喷嘴内形成上侧气体层的工序;
在所述待机区域将溶剂吸入在先批次用的喷嘴内的工序;
随后批次的开头的基板被搬入与所述第1液处理单元不同的第2液处理单元后,使随后批次用的喷嘴与在先批次用的喷嘴一起移动至所述随后批次的开头的基板的上方的工序;
之后,从随后批次用的喷嘴向随后批次的开头的基板供给涂布液的工序;和
在进行将溶剂吸入所述在先批次用的喷嘴的工序后,使在先批次用的喷嘴吸入气氛的气体,在该喷嘴内形成下侧气体层,形成由上侧气体层与下侧气体层夹持溶剂层的状态的工序。
2.如权利要求1所述的涂布方法,其特征在于:
进行在在先批次用的喷嘴内形成下侧气体层的工序的过程中,进行与使随后批次用的喷嘴和在先批次用的喷嘴一起从待机区域移动至所述随后批次的开头的基板的上方的工序。
3.一种涂布方法,其将溶剂中溶解有涂布膜的成分的涂布液从喷嘴供给至基板来形成涂布膜,该涂布方法的特征在于,
使用以在先批次用的喷嘴和随后批次用的喷嘴通过共同的移动机构成为一体并在液处理单元的上方与待机区域之间移动的方式构成的装置,包括:
对被搬入至第1液处理单元的在先批次的最后的基板从在先批次用的喷嘴供给涂布液的工序;
之后,将在先批次用的喷嘴与随后批次用的喷嘴一起移动至待机区域的工序;
在供给所述涂布液的工序之后,使在先批次用的喷嘴吸入气氛的气体,在该喷嘴内形成上侧气体层的工序;
在所述待机区域将溶剂吸入在先批次用的喷嘴内的工序;
随后批次的开头的基板被搬入与所述第1液处理单元不同的第2液处理单元后,使随后批次用的喷嘴与在先批次用的喷嘴一起从待机区域移动至所述随后批次的开头的基板的上方的工序;
在进行所述移动的工序同时,使在先批次用的喷嘴吸入气氛的气体,在该喷嘴内形成下侧气体层,形成由上侧气体层和下侧气体层夹持溶剂层的状态的工序;和
在随后批次用的喷嘴移动至所述随后批次的开头的基板的上方后,从随后批次用的喷嘴向该基板供给涂布液的工序。
4.如权利要求1~3的任一项所述的涂布方法,其特征在于:
使在先批次用的喷嘴与随后批次用的喷嘴一起移动至待机区域的过程中,将溶剂存积于在先批次用的喷嘴的待机区域。
5.如权利要求1~4的任一项所述的涂布方法,其特征在于:
当在先批次用的喷嘴完成与第1液处理单元不同的其它的液处理单元内的在先批次的倒数第二块基板的涂布而返回至待机区域时,在待机区域将溶剂从随后批次用的喷嘴喷出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造