[发明专利]基板表面处理装置及其方法无效
| 申请号： | 201110451448.1 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103187337A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 张书省;蔡嘉雄;刘仕伟;茹振宗 | 申请（专利权）人： | 均豪精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 处理 装置 及其 方法 | ||
1.一种基板表面处理装置，包含：
多个传送元件，用以于一预定方向传送至少一基板；以及
至少一供液槽，其分别间隔设置于所述多个传送元件之间，而一处理液自所述供液槽涌溢出，使得所述基板于传送过程中，所述基板的下表面可依序接触所述处理液。
2.如权利要求1所述的基板表面处理装置，其特征在于，所述处理液直接接触所述基板的下表面。
3.如权利要求1所述的基板表面处理装置，其特征在于，所述传送元件沾附涌溢出的所述处理液，使得所述处理液间接地接触经由所述传送元件所传送的所述基板的下表面。
4.如权利要求1、2或3所述的基板表面处理装置，其特征在于，所述供液槽设有一第一槽壁及一第二槽壁，且所述第一槽壁与一第二槽壁具有一高度差，使得持续注入所述供液槽内的所述处理液朝向较低的所述第二槽壁涌溢出。
5.如权利要求1所述的基板表面处理装置，其特征在于，更包含：
一供液装置，用以供给所述处理液予所述供液槽；以及
一承漏槽，用以承接所述供液槽涌溢出的所述处理液。
6.如权利要求5所述的基板表面处理装置，其特征在于，所述供液装置更包含一混合槽用以回收来自所述承漏槽的所述处理液，并汇合来自厂务端的处理液，以调整浓度后再供给至所述供液装置。
7.一种基板表面处理方法，包含下列步骤：
使用多个传送元件于一预定方向传送至少一基板；
提供至少一供液槽，其间隔地设置于所述多个传送元件间，其中所述供液槽的顶部为开放状态；以及
注入一处理液于所述供液槽内使所述处理液涌溢出，使得所述基板于传送过程中，所述基板的下表面可依序接触所述处理液。
8.如权利要求7所述的基板表面处理方法，其特征在于，所述处理液于涌出处与所述基板的下表面直接接触。
9.如权利要求7所述的基板表面处理方法，其特征在于，涌出的所述处理液沾附于所述传送元件上并藉此经由所述传送元件所传送所述基板的下表面可间接地接触所述处理液。
10.如权利要求7所述的基板表面处理方法，其特征在于，更包含接收涌出的所述处理液经调整后再供给至所述供液槽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
