[发明专利]基板表面处理装置及其方法

说明书

技术领域

本发明有关一种基板表面处理装置及其方法，特别是针对基板的单一表面进行处理的装置及其方法。

背景技术

现代科技产品中半导体设备的应用相当广泛，尤其是通讯、电脑、网络、光电相关等电子设备中，半导体的硅基板存在是不可或缺的，而随着市场对这些电子产品的需求日益增加，如何快速、有效率的改良半导体的生产工艺并提供足供应付市场需求的半导体元件是各家厂商努力的目标。在一般半导体生产工艺中，会依硅基板应用所需的设计条件不同而工艺各有差异，其中有湿法化学蚀刻工艺，此种湿工艺有多种工艺上的应用，例如，光刻胶剥除、氮化硅及氧化硅的去除等。一般而言，湿法化学蚀刻的硬件设备包括用以进行主蚀刻反应(main etch process)、中介清洗(intermediary wash)、漂洗(rinse)，及干燥(drying)等多个处理工艺。

而湿法蚀刻工艺中有一种蚀刻方式是将硅基板浸入蚀刻液中，使蚀刻液同时将硅基板的上下两个表面同时进行蚀刻，另外一种蚀刻方式则是针对硅基板的单一个表面进行蚀刻工艺，且不对基板上除了欲蚀刻表面以外的面进行处理，为达成此目的，在工艺中蚀刻液只能触及被指定蚀刻的表面，若非指定面的表面受蚀刻液沾染影响时，会影响到半导体元件的整体功能性，甚至可能会导致的部分范围无法使用而必须放弃，所以硅基板进行单一个面的蚀刻工艺时，如何有效避免蚀刻液沾染波及非指定蚀刻的表面，成为业界一直关注的议题。

已知技术中，对硅基板单一个面进行蚀刻时避免非指定蚀刻面沾染到蚀刻液的方法有多种，有的技术是另附加保护层(如光刻胶或粘胶)于硅基板非指定蚀刻的面上，以避免工艺中侵蚀液的沾染，然而此法于蚀刻完成后必须多一道清除保护层的工艺，不仅增加工艺上的繁琐，同时若清除不完全时还可能有残胶而造成硅基板表面的污染，或者是在清除保护层的过程中而使基板产生刮伤，十分不便。

有鉴于此，如何针对上述已知针对基板单一个面的蚀刻方法及装置所存在的缺点进行研发改良，让使用者能够更方便使用且制作成本降到最低，实为相关业界所需努力研发的目标。

发明内容

本发明提供一种基板表面处理装置及其方法，藉由供液槽与传送元件的位置设置使基板的下表面于传送过程中可依序接触由供液槽所涌出的处理液。

本发明一实施例的基板表面处理装置，包括：多个传送元件，用以于一预定方向传送至少一基板；以及至少一供液槽，其分别间隔设置于传送元件之间，而一处理液自供液槽涌溢出，使得基板于传送过程中，基板的下表面可依序接触处理液。

本发明另一实施例的基板表面处理方法，包括下列步骤：使用多个传送元件于一预定方向传送至少一基板；提供至少一供液槽，其间隔地设置于传送元件间，其中供液槽的顶部为开放状态；以及注入一处理液于供液槽内使处理液涌溢出，使得基板于传送过程中，基板的下表面可依序接触处理液。

以下藉由具体实施例配合所附的附图详加说明，当更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。

附图说明

图1为依据本发明一实施例的示意图。

图2A、图2B、图2C、图2D、图2E为依据本发明一实施例的示意图。

图3为依据本发明一实施例的示意图。

图4为依据本发明一实施例的流程图。

图5为依据本发明一实施例的示意图。

图6为依据本发明一实施例的示意图。

主要元件符号说明：

10         传送元件

20         供液槽

201        第一槽壁

202        第二槽壁

203        供液槽的顶部

22         处理液

30         基板

32         下表面

40         供液装置

401        加压马达

402        输送管路

403        混合槽

50         承漏槽

501        输送管路

60         厂务端

A          预定方向

S10        步骤

S20        步骤

S30        步骤

S40        步骤

具体实施方式