[发明专利]一种显示装置、TFT-LCD像素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD像素结构，包括：基板，所述基板上形成公共电极、栅极扫描线、栅电极、栅极绝缘层、有源层、像素电极、源电极、漏电极、数据扫描线和钝化层图案，其特征在于，还包括第二透明电极层，所述第二透明电极层覆盖在像素电极的边缘；所述第二透明电极层通过相对设置在栅极扫描线上方的过孔与栅极扫描线连接，与像素电极形成存储电容。

2.如权利要求1所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，所述公共电极上方覆盖栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的上方依次具有像素电极和钝化层；所述过孔穿过所述栅极绝缘层和所述钝化层；

3.如权利要求1所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，还包括第一透明电极，所述第一透明电极层与公共电极连接，与像素电极形成储存电容。

4.如权利要求3所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，还包括挡光条，所述挡光条与所述公共电极和第一透明电极层相连接，其和公共电极具有相同的电压。

5.一种显示装置，其特征在于，包括使用权利要求1-4任一项所述的TFT-LCD像素结构。

6.一种TFT-LCD像素结构的制作方法，其特征在于，包括：

步骤1：在基板上沉积透明电极层和栅金属薄膜，采用构图工艺形成第一透明电极层、栅极扫描线、栅电极和公共电极，所述第一透明电极层与公共电极连接；

步骤2：在完成步骤1的基板上沉积栅极绝缘薄膜、有源层薄膜、金属薄膜层和透明电极层，采用构图工艺形成栅极绝缘层、有源层、数据扫描线、源电极、漏电极和像素电极；所述像素电极与步骤1中的公共电极形成存储电容；

步骤3：在完成步骤2的基板上，沉积钝化层，将位于栅极扫描线上方的栅极绝缘层和钝化层形成过孔；

步骤4：在完成步骤3的基板上，沉积透明电极层，采用构图工艺形成第二透明电极层，所述第二透明电极层穿过过孔与栅极扫描线连接，所述第二透明电极层通过栅极扫描线与像素电极形成存储电容。

7.如权利要求6所述的TFT-LCD像素结构的制作方法，其特征在于，所述步骤1中还包括形成挡光条，所述挡光条与公共电极和第一透明电极层连接，其具有与公共电极相同的电压。

8.如权利要求6所述的TFT-LCD像素结构的制作方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

步骤111：在基板上沉积透明电极层，采用构图工艺后形成第一透明电极层；

步骤112：在完成步骤111的基板上沉积栅金属薄膜，采用构图工艺形成栅极扫描线、栅电极、公共电极；将步骤111中的第一透明电极层与公共电极连接。

9.如权利要求6所述的TFT-LCD像素结构的制作方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

在基板上连续沉积透明电极层和栅金属薄膜，采用构图工艺形成第一透明电极层、栅极扫描线、栅电极和公共电极，所述第一透明电极层与公共电极连接。

10.如权利要求6所述的TFT-LCD像素结构的制作方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：

步骤211：在完成步骤1的基板上连续沉积栅极绝缘薄膜和有源层薄膜，采用构图工艺形成栅极绝缘层和有源层；

步骤212：在完成步骤211的基板上沉积金属薄膜层和透明电极层，形成数据扫描线、源电极、漏电极和像素电极，漏电极与像素电极相连接，所述像素电极与步骤1中的公共电极形成存储电容。

11.如权利要求6所述的TFT-LCD像素结构的制作方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：

步骤221：在完成步骤1的基板上连续沉积栅极绝缘薄膜、有源层薄膜和金属薄膜层，采用构图工艺形成栅极绝缘层、有源层、数据扫描线、源电极和漏电极；

步骤222：在完成步骤221的基板上沉积透明电极层，采用构图工艺形成像素电极，所述像素电极与步骤1中的公共电极形成存储电容。