[发明专利]一种显示装置、TFT-LCD像素结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种显示装置、TFT-LCD像素结构及其制作方法。

背景技术

在平板显示技术中，TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示器)具有功耗低、制造成本相对较低、和无辐射的特点，因此在平板显示器市场占据了主导地位。TFT-LCD器件是由阵列基板和彩膜基板对盒而形成的。如图1-3所示，是一种TFT结构单一像素俯视图及其A-A和B-B部位的截面示意图。如图所示，该阵列基板包括：一组栅极扫描线1’和与之垂直的一组数据扫描线5’，相邻的栅极扫描线1’和数据扫描线5’定义了像素区域。每一个像素包含有一个TFT开关器件、透明像素电极10’和部分公共电极11’。TFT器件由栅电极2’、栅电极绝缘层4’、半导体有源层3’以及源电极6’和漏电极7’组成。钝化层8’覆盖在上述各部分上，并在漏电极7’上方形成过钝化层过孔9’。透明像素电极10’通过钝化层的过孔9’与TFT的漏电极7’相连接。透明像素电极10’一部分和栅极扫描线1’一起形成存储电容。为了进一步降低对盒后像素里的漏光，在像素平行于数据线的两侧形成挡光条12’。挡光条12’使用和栅极同一材料，在同一Mask工序中完成制作。但该结构的透明像素电极10’与公共电极11’间距离较大，且交叠面积较小，造成其存储电容较小，对图像的显示品质造成一定的影响。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是提供一种显示装置、TFT-LCD像素结构及其制作方法，通过穿过栅极绝缘层和钝化层的过孔将栅极扫描线电荷存储在第二透明电极层上，与基板上的公共电极和第一透明电极层共同形成双存储电容结构，极大地增加了存储电容量，可有效提高图像的显示品质。

(二)技术方案

为了解决上述问题，一方面本发明提供一种TFT-LCD像素结构，包括：基板，所述基板上形成公共电极、栅极扫描线、栅电极、栅极绝缘层、有源层、像素电极、源电极、漏电极、数据扫描线和钝化层图案，还包括第二透明电极层，所述第二透明电极层覆盖在像素电极的边缘；所述第二透明电极层通过相对设置在栅极扫描线上方的过孔与栅极扫描线连接，与像素电极形成存储电容。

进一步地，所述公共电极上方覆盖栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的上方依次具有像素电极和钝化层；所述过孔穿过所述栅极绝缘层和所述钝化层；

进一步地，还包括第一透明电极，所述第一透明电极层与公共电极连接，与像素电极形成储存电容。

进一步地，还包括挡光条，所述挡光条与所述公共电极和第一透明电极层相连接，其和公共电极具有相同的电压。

另一方面，本发明还提供一种显示装置，包括上述的TFT-LCD像素结构。

再一方面，本发明还提供一种TFT-LCD像素结构的制作方法，包括：

步骤1：在基板上沉积透明电极层和栅金属薄膜，采用构图工艺形成第一透明电极层、栅极扫描线、栅电极和公共电极，所述第一透明电极层与公共电极连接；

步骤2：在完成步骤1的基板上沉积栅极绝缘薄膜、有源层薄膜、金属薄膜层和透明电极层，采用构图工艺形成栅极绝缘层、有源层、数据扫描线、源电极、漏电极和像素电极；所述像素电极与步骤1中的公共电极形成存储电容；

步骤3：在完成步骤2的基板上，沉积钝化层，将位于栅极扫描线上方的栅极绝缘层和钝化层形成过孔；

步骤4：在完成步骤3的基板上，沉积透明电极层，采用构图工艺形成第二透明电极层，所述第二透明电极层穿过过孔与栅极扫描线连接，所述第二透明电极层通过栅极扫描线与像素电极形成存储电容。

进一步地，所述步骤1中还包括形成挡光条，所述挡光条与公共电极和第一透明电极层连接，其具有与公共电极相同的电压。

进一步地，所述步骤1具体包括：

步骤111：在基板上沉积透明电极层，采用构图工艺后形成第一透明电极层；

步骤112：在完成步骤111的基板上沉积栅金属薄膜，采用构图工艺形成栅极扫描线、栅电极、公共电极；将步骤111中的第一透明电极层与公共电极连接。

进一步地，所述步骤1具体包括：

在基板上连续沉积透明电极层和栅金属薄膜，采用构图工艺形成第一透明电极层、栅极扫描线、栅电极和公共电极，所述第一透明电极层与公共电极连接。

进一步地，所述步骤2具体包括：