[发明专利]带有IC器件的透明硅基基板的制作方法

权利要求书

1.一种带有IC器件的透明硅基基板的制作方法，其特征是它包括以下步骤：

1）选择绝缘硅片（SOI，SILICON ON INSULATOR）作为IC器件制作的基板，所述的绝缘硅片由衬底硅层（3）、二氧化硅绝缘层（2）和器件硅层（1）构成，器件硅层（1）位于顶层，二氧化硅绝缘层（2）位于衬底硅层（3）和器件硅层（1）之间；

2）在器件硅层（1）上制作IC器件；

3）采用高温氧化法将器件硅层（1）上未制作IC器件的部分进行氧化形成透明二氧化硅；

4）将IC器件上需要与外界电气连接的部分提前连接到二氧化硅绝缘层（2）的上面，以方便后续工艺将电极引出；

5）在IC器件上面做钝化层（11）和遮光层（12），以保护IC器件在后续制作中不受损伤，以及器件在应用过程中，不受外界光的干扰，而引起器件性能的衰退和劣化；

6）将安装IC器件的器件硅层（1）通过光学胶与透明玻璃基板粘接；

7）先通过机械减薄再通过化学刻蚀将衬底硅层（3）去除掉；

8）在二氧化硅绝缘层（2）上打孔将电极引出，并且蒸镀透明的导电电极，光刻形成图形。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述的二氧化硅绝缘层（2）的厚度为0.4~1μm，器件硅层（1）厚度为0.3~1.5μm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述的粘接是倒置式单次粘接。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述的打孔是采用激光打孔的工艺实现硅片与外界的电气连接。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征是IC器件包括薄膜晶体管阵列和周边驱动控制电路部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述的化学刻蚀为湿法刻蚀。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征是所述的湿法刻蚀是用35%的KOH饱和溶液，刻蚀温度控制在90℃左右，利用二氧化硅绝缘层作为蚀刻的阻挡层，反应自停止，刻蚀速率为3μm/min。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述的化学刻蚀为等离子干法蚀刻。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征是所述的等离子干法蚀刻是采用ICP蚀刻机来蚀刻，并利用二氧化硅绝缘层作为硅蚀刻的阻挡层，完成衬底硅的去除。