[发明专利]具有碳化硅包覆层的喷淋头的污染物处理方法有效
申请号: | 201110453582.5 | 申请日: | 2011-12-29 |
公开(公告)号: | CN102513313A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 贺小明;陈振军;倪图强 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | B08B7/04 | 分类号: | B08B7/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 碳化硅 覆层 喷淋 污染物 处理 方法 | ||
1.一种具有碳化硅包覆层的喷淋头的污染物处理方法,其特征在于,包括:
采用去离子水冲洗所述喷淋头;
之后至少采用酸性溶液清洗所述喷淋头。
2.根据权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述采用酸性溶液清洗所述喷淋头之前还进行采用碱性溶液清洗所述喷淋头。
3.根据权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述去离子水冲洗过程中采用超声波震荡或采用高压去离子水清洗。
4.根据权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述去离子水冲洗过程中,去离子水中添加异丙醇。
5.根据权利要求4所述的处理方法,其特征在于,所述异丙醇的质量浓度至少为1%。
6.根据权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述去离子水冲洗过程中,去离子水的温度至少为50℃以上。
7.根据权利要求2所述的处理方法,其特征在于,所述酸性溶液或碱性溶液清洗过程中,同时采用氧化剂处理。
8.根据权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述酸性溶液为H2SO4、HNO3、HF、HCl中的至少一种。
9.根据权利要求2所述的处理方法,其特征在于,所述碱性溶液为KOH、NaOH、NH4OH中的至少一种。
10.根据权利要求7所述的处理方法,其特征在于,所述氧化剂为H2O2、K2Cr2O7、KMnO4中的至少一种。
11.根据权利要求2所述的处理方法,其特征在于,采用酸性溶液或碱性溶液清洗所述喷淋头步骤后还进行去离子水冲洗步骤。
12.根据权利要求11所述的处理方法,其特征在于,采用酸性溶液或碱性溶液清洗所述喷淋头步骤后还进行的去离子水冲洗步骤中,采用超声波震荡或采用高压去离子水清洗。
13.根据权利要求11所述的处理方法,其特征在于,采用酸性溶液或碱性溶液清洗所述喷淋头步骤后还进行的去离子水冲洗步骤中,去离子水中添加异丙醇。
14.根据权利要求13所述的处理方法,其特征在于,采用酸性溶液或碱性溶液清洗所述喷淋头步骤后还进行的去离子水冲洗步骤中,所述异丙醇的质量浓度至少为1%。
15.根据权利要求11所述的处理方法,其特征在于,采用酸性溶液或碱性溶液清洗所述喷淋头步骤后还进行的去离子水冲洗步骤中,去离子水的温度至少为50℃以上。
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