[发明专利]具有碳化硅包覆层的喷淋头的污染物处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种具有碳化硅包覆层的喷淋头的污染物处理方法。

背景技术

近年来，在半导体制造领域，使用了用于向半导体晶片等基板以喷淋状供气的喷淋头。例如在等离子体刻蚀处理设备中，在处理室内设置有用于载置基板的载置台，与该载置台相对的位置设置有喷淋头，该喷淋头的表面设置有多个气体喷出孔，以喷淋状供给气体来产生等离子体。在上述等离子体处理装置中，因为在处理腔室内产生等离子体，所以喷淋头的温度一般较高。

现有的喷淋头其基体一般为铝，但是铝容易在等离子环境下被腐蚀，导致该喷淋头的寿命不长。针对这个问题，现有技术中通过在该基体的外表面覆盖一层抗刻蚀能力强的氧化铝(Al₂O₃)，然而，由于喷淋头在使用时其表面与等离子体接触，而氧化铝表面易与含氟的等离子体反应而生成氟化铝颗粒而导致污染，因而氧化铝并不是喷淋头覆盖层的优选材质，行业内逐渐被散热性能佳且不易产生颗粒污染的碳化硅覆盖层所取代。

然而，本发明人发现，在具有碳化硅包覆层的喷淋头使用一段时间后，其表面会有一些污染物，该污染物如不进行处理，会在喷淋头表面堆积起来并会阻塞表面的气体喷出孔，影响喷淋头的使用，此外，该污染物还容易掉落在待处理晶片上，影响待处理晶片的性能，上述问题都会最终导致喷淋头报废并降低晶片生产效率。

有鉴于此，实有必要提出一种具有碳化硅包覆层的喷淋头的污染物处理方法，以避免上述问题。

发明内容

本发明实现的目的是提出一种具有碳化硅包覆层的喷淋头的污染物处理方法，使被污染的喷淋头重新得以使用。

为解决上述问题，本发明提供一种具有碳化硅包覆层的喷淋头的污染物处理方法，包括：

采用去离子水冲洗所述喷淋头；

之后至少采用酸性溶液清洗所述喷淋头。

可选地，所述采用酸性溶液清洗所述喷淋头之前还进行采用碱性溶液清洗所述喷淋头。

可选地，所述去离子水冲洗过程中采用超声波震荡或采用高压去离子水清洗。

可选地，所述去离子水冲洗过程中，去离子水中添加异丙醇。

可选地，所述异丙醇的质量浓度至少为1％。

可选地，所述去离子水冲洗过程中，去离子水的温度至少为50℃以上。

可选地，所述酸性溶液或碱性溶液清洗过程中，同时采用氧化剂处理。

可选地，所述酸性溶液为H₂SO₄、HNO₃、HF、HCl中的至少一种。

可选地，所述碱性溶液为KOH、NaOH、NH₄OH中的至少一种。

可选地，所述氧化剂为H₂O₂、K₂Cr₂O₇、KMnO₄中的至少一种。

可选地，采用酸性溶液或碱性溶液清洗所述喷淋头步骤后还进行去离子水冲洗步骤。

可选地，采用酸性溶液或碱性溶液清洗所述喷淋头步骤后还进行的去离子水冲洗步骤中，采用超声波震荡或采用高压去离子水清洗。

可选地，采用酸性溶液或碱性溶液清洗所述喷淋头步骤后还进行的去离子水冲洗步骤中，去离子水中添加异丙醇。

可选地，采用酸性溶液或碱性溶液清洗所述喷淋头步骤后还进行的去离子水冲洗步骤中，所述异丙醇的质量浓度至少为1％。

可选地，采用酸性溶液或碱性溶液清洗所述喷淋头步骤后还进行的去离子水冲洗步骤中，去离子水的温度至少为50℃以上。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：具有碳化硅包覆层的喷淋头在使用过一段时间后，其上会产生一些污染物，该污染物的主要成分为氟、碳、铝以及氧之间的化合物，该污染物也可能含有铜、钛及其它金属元素。采用去离子水冲洗后，之后通过使用酸性溶液可以去除大部分附着力较差的污染物，可以使被污染的喷淋头重新得以使用；

进一步地，对于少部分附着力较强的污染物，在使用去离子水冲洗过程中采用超声波震荡或采用高压去离子水去除；

进一步地，碳化硅除了基本上不溶于酸性溶液外，基本上也不溶于碱性溶液，而碳、铝、氟以及氧之间的化合物污染物，以及铜、钛及其它金属元素污染物溶于上述酸性及碱性溶液，因而，也可以采用碱性溶液去除该污染物但不会腐蚀碳化硅喷淋头；

进一步地，酸性溶液或碱性溶液中添加氧化剂后，增强污染物被氧化的速度，因而，可以快速将该污染物去除；