[发明专利]有机电致发光显示装置的阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110453864.5 申请日: 2011-12-30
公开(公告)号: CN102867839A 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 崔熙东;田承峻 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;孙海龙
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 显示装置 阵列 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用于有机电致发光显示装置的阵列基板,所述阵列基板包括:

基板,所述基板包括显示区域和非显示区域,其中所述显示区域包括像素区域,所述非显示区域包括电源区域;

选通线和数据线,所述选通线和数据线之间具有中间绝缘层,并且彼此交叉以限定所述像素区域;

薄膜晶体管,所述薄膜晶体管在所述像素区域的驱动区域中并包括多晶硅的半导体层、栅绝缘层、栅极、所述中间绝缘层、源极、以及漏极;

多条辅助线,所述多条辅助线在所述电源区域中,由与所述数据线相同的材料形成,并在与所述数据线相同的层上;

钝化层,所述钝化层被布置在所述薄膜晶体管上并由有机绝缘材料形成,其中所述钝化层具有露出所述漏极的漏接触孔和露出所述电源区域中的所述多条辅助线中的一条辅助线的辅助线接触孔,其中所述钝化层覆盖所述多条辅助线中的所述一条辅助线的端部和/或两侧;以及

第一电极和线连接图案,所述第一电极和线连接图案分别在所述像素区域中和所述电源区域中的所述钝化层上,其中所述第一电极接触所述漏极而所述线连接图案接触所述多条辅助线中的所述一条辅助线。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,所述阵列基板还包括:岸,所述岸与所述第一电极的边缘交叠;以及间隔体,所述间隔体被选择性地形成在所述岸上。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其中所述钝化层具有露出所述中间绝缘层和所述多条辅助线中的另一条辅助线的凹槽;其中密封图案或釉图案填入所述凹槽并接触所述凹槽两侧的所述钝化层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,其中所述钝化层包括感光丙烯或苯丙环丁烯中的一种。

5.根据权利要求1所述的阵列基板,所述阵列基板还包括:

第一存储电极,所述第一存储电极由掺入了杂质的多晶硅形成,并与所述半导体层在相同的层上;

第二存储电极,所述第二存储电极被形成在所述栅绝缘层上、所述第一存储电极上方;以及

第三存储电极,所述第三存储电极被形成在所述中间绝缘层上、所述第二存储电极上方。

6.根据权利要求1所述的阵列基板,其中所述半导体层包括:第一区域,所述第一区域对应于中心部分;以及第二区域,所述第二区域在所述第一区域的两侧,其中所述第二区域中包含杂质。

7.根据权利要求1所述的阵列基板,所述阵列基板还包括电源线,所述电源线与所述数据线相间隔并与所述数据线相互平行。

8.根据权利要求1所述的阵列基板,所述阵列基板还包括缓冲层,所述缓冲层在所述半导体层和整个所述基板之间。

9.根据权利要求1所述的阵列基板,其中所述辅助线和所述数据线各具有三层结构,所述三层结构包括第一层、第二层和第三层,其中所述第一层和第三层包括钛、钼以及钛钼合金中的一种,而所述第二层包括铝、例如铝钕的铝合金、铜、以及铜合金中的一种。

10.根据权利要求1所述的阵列基板,其中各所述辅助线包括Vcc信号线、Vdd信号线、Vgh信号线、Vgl信号线或Vref信号线。

11.一种制造用于有机电致发光显示装置的阵列基板的方法,所述方法包括以下步骤:

制备基板,所述基板包括显示区域和非显示区域,其中所述显示区域包括像素区域而所述非显示区域包括电源区域;

形成选通线和数据线,所述选通线和所述数据线之间具有中间绝缘层,所述选通线和所述数据线彼此交叉以限定所述像素区域;

在所述像素区域的驱动区域中形成薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括多晶硅的半导体层、栅绝缘层、栅极、所述中间绝缘层、源极、以及漏极;

形成多条辅助线,所述辅助线在所述电源区域中,由与所述数据线相同的材料形成,并与所述数据线在相同的层上;

在所述薄膜晶体管上形成有机绝缘材料的钝化层,其中所述钝化层具有露出所述漏极的漏接触孔和露出所述电源区域中所述多条辅助线中的一条辅助线的辅助线接触孔,其中所述钝化层覆盖所述多条辅助线中的所述一条辅助线的端部和/或两侧;以及

形成第一电极和线连接图案,所述第一电极和线连接图案分别在所述像素区域中的所述钝化层上和在所述电源区域中的所述钝化层上,其中所述第一电极接触所述漏极而所述线连接图案接触所述多条辅助线中的所述一条辅助线。

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