[发明专利]有机电致发光显示装置的阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光显示装置的阵列基板，更具体地说，涉及一种包括以多晶硅作为半导体层的薄膜晶体管的阵列基板及其制造方法。

背景技术

随着信息技术的快速发展，迅速开发了用于显示大量信息的显示装置。近来，提出并积极开发了具有侧面薄、重量轻和低功耗特点的平板显示装置(FPD)。

其中，有机电致发光显示装置最近因其诸多优点而被关注，这些优点有：有机电致发光显示装置具有较高的亮度和较低的驱动电压；由于有机电致发光显示装置是自发光的，其具有极好的对比度和极薄的厚度；有机电致发光显示装置具有几毫秒的响应时间，从而在显示运动图像时有优势；有机电致发光显示装置视角宽并在低温下保持稳定；由于有机电致发光显示装置在低直流电压(DC)5V至15V下被驱动，因而设计和制造驱动电路十分容易；以及由于基本仅需要沉积和封装装置，有机电致发光显示装置的制造过程很简单。在有机电致发光显示装置中，有源矩阵型显示装置被广泛地应用。

有机电致发光显示装置包括阵列基板，在其上形成有用于打开/关闭各像素区域的薄膜晶体管。薄膜晶体管可以以多晶硅作为半导体层。通常，制造包括多晶硅薄膜晶体管的有机电致发光显示装置的阵列基板通过以下10个掩模工艺制造：形成多晶硅的半导体层；形成第一存储电极；形成栅极；形成有半导体接触孔的中间绝缘层；形成源极和漏极；形成无机绝缘材料的第一钝化层；形成有机绝缘材料的第二钝化层；形成阳极；形成岸(bank)；以及形成间隔体。

在基板上形成材料层后，掩模工艺包括以下步骤：在材料层上形成光刻胶层；通过感光掩模将光刻胶层曝光；显影经曝光的光刻胶层来形成光刻胶图案；使用光刻胶图案作为掩模刻蚀材料层；以及剥离光刻胶图案。

因此，为了完成一个掩模工艺，需要进行各步骤的设备和材料，还需要进行各步骤的时间。在制造有机电致发光显示装置时，进行为减少掩模工艺的实验和努力来减少制造成本并提高生产率。提出一种跳过第一和第二钝化层中的一个的方法，但在这种情况下，信号线或连接图案之间可能断开。

发明内容

一种有机电致发光显示装置的阵列基板包括：基板，其包括显示区域和非显示区域，其中所述显示区域包括像素区域，所述非显示区域包括电源区域；选通线和数据线，其中间具有中间绝缘层并且彼此交叉以限定像素区域；薄膜晶体管，其形成于所述像素区域的驱动区域并包括多晶硅的半导体层、栅绝缘层、栅极、所述中间绝缘层、源极、以及漏极；辅助线，其在所述电源区域中由与所述数据线相同的材料形成并在与其相同的层上；钝化层，其设置在所述薄膜晶体管上并由有机绝缘材料形成，其中所述钝化层具有露出所述漏极的漏接触孔和露出所述电源区域中的所述辅助线中一个的辅助线接触孔，所述钝化层覆盖所述多条辅助线中的所述一条辅助线的端部和/或两侧；以及第一电极和线连接图案，其分别在所述像素区域中和所述电源区域中形成在所述钝化层上，其中所述第一电极接触所述漏极而所述线连接图案接触所述第一辅助构图中的一个。

另一方面，一种制造有机电致发光显示装置的阵列基板的方法包括：制备基板，所述基板包括显示区域和非显示区域，其中所述显示区域包括像素区域，所述非显示区域包括电源区域；形成选通线和数据线，它们之间具有中间绝缘层，所述选通线和所述数据线在所述像素区域中彼此交叉；在所述像素区域的驱动区域中形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括多晶硅的半导体层、栅绝缘层、栅极、所述中间绝缘层、源极、以及漏极；形成辅助线，其在所述电源区域中，由与所述数据线相同的材料形成，并与所述数据线在相同的层上；在所述薄膜晶体管上形成有机绝缘材料的钝化层，其中所述钝化层具有露出所述漏极的漏接触孔和露出所述电源区域中所述辅助线中的一个的辅助线接触孔，其中所述钝化层具有露出所述中间绝缘层和另一个所述辅助线的凹槽；以及形成第一电极和线连接图案，它们分别在所述像素区域中和所述电源区域中形成在所述钝化层上，其中所述第一电极接触所述漏极而所述线连接图案连接所述第一辅助图案中的一个。

应当理解的是，前面的一般描述和后面的具体描述都是示例性和解释性的，并旨在对所要求保护的本发明提供进一步的解释。

附图说明

附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解，并结合到本申请中且构成本申请的一部分，这些附图例示了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

图1A至图1M是示出了根据本发明的第一实施方式的有机电致发光显示装置的阵列基板的像素区域的按制造步骤的截面图；