[发明专利]真空溅射靶磁芯无效
申请号: | 201110454429.4 | 申请日: | 2011-12-30 |
公开(公告)号: | CN103184421A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 黄登聪;徐华勇;刘振章 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 溅射 靶磁芯 | ||
1.一种真空溅射靶磁芯,其特征在于:该真空溅射靶磁芯包括一罩体和磁体固定板,该磁体固定板固定于罩体内,沿该磁体固定板上在竖直方向的平面上开设有安装槽,该安装槽内设有第一磁体,用以形成溅射磁场,在该磁体固定板的两端装设有第二磁体,用于对该溅射的第一磁体产生的磁场进行封磁。
2.如权利要求1所述的真空溅射靶磁芯,其特征在于:所述罩体分为底罩和罩盖,该上罩体通过焊接与底罩完全密闭,形成该罩体。
3.如权利要求1所述的真空溅射靶磁芯,其特征在于:所述磁体固定板固定在底罩内。
4.如权利要求1所述的真空溅射靶磁芯,其特征在于:所述磁体固定板上竖直方向平行开设两排安装槽。
5.如权利要求1所述的真空溅射靶磁芯,其特征在于:所述磁体通过粘帖固定在磁体固定板两端,所述磁体固定板材质为钢材。
6.如权利要求1-5任意一项所述的真空溅射靶磁芯,所述的磁体为磁铁。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司,未经鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110454429.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类