[发明专利]真空溅射靶磁芯无效

专利信息
申请号: 201110454429.4 申请日: 2011-12-30
公开(公告)号: CN103184421A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 黄登聪;徐华勇;刘振章 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 真空 溅射 靶磁芯
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种真空溅射靶磁芯,尤其涉及一种结构简单,使用寿命长的真空溅射靶磁芯。

背景技术

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition),是一种利用物理方式在基材上沉积薄膜的技术,在PVD磁控溅射技术中,圆柱形靶是因其具有靶材利用率高、工艺稳定等明显的优势被广泛使用,圆柱靶磁芯对圆柱靶的整体性能起着至关重要的作用。但目前的圆柱靶磁芯结构复杂、加工成本高及使用寿命短。

发明内容

有鉴于此,本发明提出一种结构简单,使用寿命长的真空溅射靶磁芯。

一种真空溅射靶磁芯,该真空溅射靶磁芯包括一罩体和磁体固定板,该磁体固定板固定于罩体内,沿该磁体固定板上在竖直方向的平面上开设有安装槽,该安装槽内设有第一磁体,用以形成溅射磁场,在该磁体固定板的两端装设有第二磁体,用于对该溅射的第一磁体产生的磁场进行封磁。

上述技术方案将磁体固定板固定于罩体内,这样可有效地保护了磁体,结构简单,使整个磁芯的使用寿命大幅提升。

附图说明

图1是本发明较佳实施例真空溅射靶磁芯整体图。

图2是本发明较佳实施例真空溅射靶磁芯局分解图。

图3是本发明较佳实施例真空溅射靶磁芯局部放大图。

主要元件符号说明

真空溅射靶磁芯10罩体11底罩113罩盖115磁体固定板13安装槽131第一磁体15第二磁体17

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

参见图1-3,本发明一较佳实施例提供了一种真空溅射靶磁芯10,其包括一罩体11和磁体固定板13,该磁体固定板13固定于罩体11内。

参见图2,所述罩体11包括底罩113和罩盖115,所述底罩113为一长条状具有弧形的凹陷槽体,所述磁体固定板13与罩体11的底罩113通过点焊的方式安装固定在该底罩113的弧形凹陷槽体内,该罩盖115通过焊接与底罩113完全密闭,将该固定在底罩113上的磁体固定板13密闭于该罩体11内,即用于对该溅射的第一磁体产生的磁场进行封磁。

参见图2、3,所述磁体固定板13为一长条形板,沿着该磁体固定板13在竖直方向的平面上开设有两排安装槽131,在该竖直方向所开设的安装槽131内设有磁体15,用于形成磁控靶材在溅射时所需磁场。该磁体固定板13的两端也分别设置有第二磁体17,其作用为进行封磁,避免磁体固定板13的竖直方向开设的安装槽131靶材磁场飞逸。该位于磁体固定板13的两端的磁体15可通过粘结等方式固定在该磁体固定板13的两端部,所述磁体固定板材质为钢材。

所述安装在安装槽131内和固定该磁体固定板13的两端的磁体15材质为磁铁及其他永磁类材料。

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