[发明专利]一种具有接地环的e/LQFP平面封装件及其生产方法

权利要求书

1.一种具有接地环的e/LQFP平面封装件，包括载体（1），载体（1）上粘贴有一至两块IC芯片， IC芯片与内引脚（6）通过键合线相连接，内引脚（6）与外引脚（15）相连接，其特征在于，该平面封装件还包括环形的接地环（2），接地环（2）下端面的位置高于载体（1）上端面的位置，载体（1）通过筋板与接地环（2）相连接；载体（1）不粘接IC芯片的端面上设置有防溢料环（5），载体（1）上固封有塑封体（14），接地环（2）、内引脚（6）、键合线和IC芯片均封装于塑封体（14）内，外引脚（15）位于塑封体（14）外，所有的外引脚（15）处于同一平面，所述载体（1）的下端面位于塑封体（14）外，或者载体（1）的下端面也封装于塑封体（14）内。

2.根据权利要求1所述的具有接地环的e/LQFP平面封装件，其特征在于，所述载体（1）为长方体，接地环（2）为长方体环，载体（1）的四个侧壁上均设置有多个凸台（7），相邻两凸台（7）之间设置有凹坑（8），凸台（7）与接地环（2）不接触，载体（1）长边与相对的接地环（2）长边之间通过两根连筋（3）相连接，载体（1）短边与相对的接地环（2）短边之间通过一根连筋（3）相连接；载体（1）的四角分别通过边筋（4）与接地环（2）的四角相连，接地环（2）的四个角上分别设置有锁定孔（9）；载体（1）不粘接IC芯片的端面设置有防溢料环（5）。

3.根据权利要求1所述的具有接地环的e/LQFP平面封装件，其特征在于，所述的接地环（2）为正方体环，载体（1）为正方体，载体（1）和接地环（2）相对的边之间通过两根连筋（3）相连接，载体（1）的四角分别通过边筋（4）与接地环（2）的四角相连；载体（1）不粘接IC芯片的端面设置有防溢料环（5）。

4.一种权利要求1所述具有接地环的e/LQFP平面封装件的生产方法，其特征在于，该生产方法具体按以下步骤进行：

步骤1：晶圆减薄

用现有工艺方法对晶圆进行减薄，得到最终减薄厚度为150μm～200μm的减薄晶圆；减薄时采用防止芯片翘曲工艺；

步骤2：划片

8吋及8吋以下的减薄后的晶圆采用DISC 3350划片机或双刀划片机进行划片；8吋到12吋的减薄后的晶圆采用A-WD-300TXB划片机进行划片；划片时，控制划片进刀速度≤10mm/s，并采用防碎片、防裂纹划片工艺软件控制技术；

步骤3：上芯

采用接地环（2）和载体（1）组成带接地环的引线框架，接地环（2）下端面的位置高于载体（1）上端面的位置，接地环（2）和载体（1）通过筋板相连接；

对于单芯片封装件：

若采用导电胶或绝缘胶粘贴IC芯片，通过导电胶或绝缘胶将一个IC芯片粘贴在载体（1）上，粘完一条引线框架送至收料盒；粘完本批全部IC芯片后，将半成品引线框架盒送烘烤，在175℃下，采用防离层烘烤工艺烘烤3小时；

若采用胶膜片粘贴IC芯片，则将贴有胶膜片的IC芯片直接放在载体（1）上进行粘贴，粘完一条引线框架送至收料盒；依同样方法粘完本批全部IC芯片后，将半成品引线框架盒送烘烤，在150℃下，采用防离层烘烤工艺烘烤3小时；

对于双芯片封装件：

 2a.第一次上芯

采用与单芯片封装件上芯相同的方法在载体（1）上粘贴一个IC芯片，并采用与单芯片封装件上芯后相同工艺进行烘烤；

2b.第二次上芯

采用与单芯片封装件上芯相同的方法在载体（1）上粘贴另一个IC芯片，使两个IC芯片并排设置，并采用与单芯片封装件上芯后相同的工艺进行烘烤；

步骤4：压焊

对于单芯片封装件

采用现有普通框架e/LQFP压焊的工艺进行压焊；

对于双芯片封装件

先压焊一个IC芯片与接地环（2）间的键合线，再压焊两个IC芯片之间的键合线，然后压焊已压焊键合线的IC芯片与内引脚（6）间的键合线，最后压焊另一个IC芯片与内引脚间的键合线；

步骤5：采用与现有e/LQFP普通产品塑封相同工艺进行塑封；载体（1）下端面封装于塑封体内，或者载体（1）下端面露出塑封体外；

步骤6：采用普通LQFP的后固化工艺封装进行后固化；

步骤7：采用与现有普通e/LQFP封装相同的工艺切中筋；

步骤8：采用与现有普通e/LQFP封装相同的工艺进行电镀；

步骤9：采用与现有普通e/LQFP封装相同的工艺，对电镀后的塑封件依次进行打印、测试、检验、入库，制得具有接地环的e/LQFP平面封装件。