[发明专利]一种具有接地环的e/LQFP平面封装件及其生产方法有效
申请号: | 201110455061.3 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN102522392A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 李习周;慕蔚;郭小伟;李存满 | 申请(专利权)人: | 天水华天科技股份有限公司;华天科技(西安)有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56 |
代理公司: | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人: | 李琪 |
地址: | 741000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 接地 lqfp 平面 封装 及其 生产 方法 | ||
技术领域
本发明属于电子信息化元器件制造技术领域,涉及一种具有接地环的e/LQFP平面封装件,本发明还涉及一种该平面封装件的生产方法。
背景技术
80年代开始,电子产品向多功能和轻薄短小方向发展,对封装技术提出了高速化、高密度化的要求,因而开发了SMT封装,SMT封装的代表形式有:PLCC、SOP、SOJ、TSOP、TSSOP、PQFP、QFJ、LQFP、TQFP等。
LQFP(LOW-Profile Quad package)是封装高度为1.4mm的方型扁平式封装技术(QFP),适于高密度细间距的薄型产品封装,属于中端产品封装技术,常用于CP封装,操作方便,可靠性高,其外形尺寸较小,寄生参数小,适应于高频,并且由于其封装密度高,与BGA同引脚封装相比,封装成本低,设备投入低(只需切筋、成形系统,不需要高投入的植球机、回流焊炉和清洗机),市场占有率大。
常规eLQFP(exposed-Pad Low-Profile Quad package,载体外露的方型扁平式封装技术)的基岛(Pad)一般比较大,当有打地线时,一般都在基岛上打地线,芯片尺寸较大时,受粘接材料(导电胶或绝缘胶)溢出的影响,打线不粘;芯片较小时,芯片面积与载体面积比小(小于40%),由于银与塑封体粘接差,因此载体上易出现离层。
发明内容
为了克服上述现有技术中存在的问题,本发明的目的是提供一种具有接地环的eLQFP平面封装件,解决了现有eLQFP封装件存在的芯片较大打线不粘和芯片较小时载体镀银区易出现扫描离层的问题。
本发明的另一目的是提供一种上述平面封装件的生产方法。
为实现上述目的,本发明所采用的技术方案是,一种具有接地环的e/LQFP平面封装件,包括载体,载体上粘贴有一至两块IC芯片, IC芯片与内引脚通过键合线相连接,内引脚与外引脚相连接,该平面封装件还包括环形的接地环,接地环下端面的位置高于载体上端面的位置,载体通过筋板与接地环相连接;载体不粘接IC芯片的端面上设置有防溢料环,载体上固封有塑封体,接地环、内引脚、键合线和IC芯片均封装于塑封体内,外引脚位于塑封体外,所有的外引脚处于同一平面,载体的下端面位于塑封体外,或者载体的下端面也封装于塑封体内。
载体为长方体,接地环为长方体环,载体的四个侧壁上均设置有多个凸台,相邻两凸台之间设置有凹坑,凸台与接地环不接触,载体长边与相对的接地环长边之间通过两根连筋相连接,载体短边与相对的接地环短边之间通过一根连筋相连接;载体的四角分别通过边筋与接地环的四角相连,接地环的四个角上分别设置有锁定孔;载体不粘接IC芯片的端面设置有防溢料环。
或者,接地环为正方体环,载体为正方体,载体和接地环相对的边之间通过两根连筋相连接,载体的四角分别通过边筋与接地环的四角相连;载体不粘接IC芯片的端面设置有防溢料环。
本发明所采用的另一技术方案是,一种上述具有接地环的e/LQFP平面封装件的生产方法,具体按以下步骤进行:
步骤1:晶圆减薄
用现有工艺方法对晶圆进行减薄,得到最终减薄厚度为150μm~200μm的减薄晶圆;减薄时采用防止芯片翘曲工艺;
步骤2:划片
8吋及8吋以下的减薄后的晶圆采用DISC 3350划片机或双刀划片机进行划片;8吋到12吋的减薄后的晶圆采用A-WD-300TXB划片机进行划片;划片时,控制划片进刀速度≤10mm/s,并采用防碎片、防裂纹划片工艺软件控制技术;
步骤3:上芯
取载体和接地环构成带接地环的引线框架,接地环下端面的位置高于载体上端面的位置,载体通过筋板与接地环相连接;
对于单芯片封装件:
若采用导电胶或绝缘胶粘贴IC芯片,通过导电胶或绝缘胶将一个IC芯片粘贴在载体上,粘完一条引线框架送至收料盒;粘完本批全部IC芯片后,将半成品引线框架盒送烘烤,在175℃下,采用防离层烘烤工艺烘烤3小时;
若采用胶膜片粘贴IC芯片,则将贴有胶膜片的IC芯片直接放在载体上进行粘贴,粘完一条引线框架送至收料盒;依同样方法粘完本批全部IC芯片后,将半成品引线框架盒送烘烤,在150℃下,采用防离层烘烤工艺烘烤3小时;
对于双芯片封装件:
2a.第一次上芯
采用与单芯片封装件上芯相同的方法在载体上粘贴一个IC芯片,并采用与单芯片封装件上芯后相同工艺进行烘烤;
2b.第二次上芯
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