[发明专利]发光装置及电子设备有效
申请号: | 201110455661.X | 申请日: | 2006-11-28 |
公开(公告)号: | CN102522423A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 洼田岳彦;神田荣二;野泽陵一 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 电子设备 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,具备:
基板;
电源线;
发光元件,其包括第一电极、与所述第一电极对置设置的第二电极、设置在所述第一电极与所述第二电极之间的有机发光层;
驱动晶体管,其控制从所述电源线供给到所述发光元件的电流量;和
晶体管,其电连接在所述驱动晶体管的栅电极与漏电极之间,
所述电源线、所述发光元件、所述驱动晶体管和电连接在所述驱动晶体管的栅电极与漏电极之间的所述晶体管配置在所述基板上,
所述驱动晶体管在从垂直于所述基板的方向观察下与所述电源线重叠,
电连接在所述驱动晶体管的栅电极与漏电极之间的所述晶体管被配置为,在从垂直于所述基板的方向观察下不与所述电源线重叠。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述驱动晶体管具备栅电极和半导体层,
所述电源线被配置为与所述驱动晶体管的栅电极和半导体层中的至少一方重叠。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述驱动晶体管具备栅电极和半导体层,
所述电源线被配置为与所述驱动晶体管的栅电极重叠。
4.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述驱动晶体管具备栅电极和沟道区域,
所述电源线被配置为与所述驱动晶体管的沟道区域重叠。
5.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述发光装置还具备与所述驱动晶体管的栅电极电连接的电容元件,
所述电容元件配置在所述驱动晶体管和电连接在所述驱动晶体管的栅电极与漏电极之间的所述晶体管之间的间隙中,
所述电源线被配置为在从垂直于所述基板的方向观察下与所述驱动晶体管及所述电容元件的双方重叠。
6.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述发光装置还具备选择晶体管,该选择晶体管根据选择信号而变为导通状态或截止状态,
所述驱动晶体管的栅电极,被设定在经由变为导通状态的所述选择晶体管而从数据线供给的数据信号所对应的电位,
所述电源线被配置为在从垂直于所述基板的方向观察下,不与所述选择晶体管和电连接在所述驱动晶体管的栅电极与漏电极之间的所述晶体管重叠。
7.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
电连接在所述驱动晶体管的栅电极与漏电极之间的所述晶体管是双栅极构造。
8.一种电子设备,具备权利要求1~7的任一项所述的发光装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的