[发明专利]发光装置及电子设备有效
申请号: | 201110455661.X | 申请日: | 2006-11-28 |
公开(公告)号: | CN102522423A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 洼田岳彦;神田荣二;野泽陵一 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 电子设备 | ||
本发明是申请日为2006年11月28日、申请号为200610160486.0、发明名称为“发光装置及电子设备”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种利用了有机EL(ElectroLuminescent)材料等的发光材料的发光装置的构造。
背景技术
以往,提出了一种将根据栅极电位控制向发光元件供给的电流量的晶体管(下面称作“驱动晶体管”)按每个发光元件而配置的有源矩阵方式的发光装置(例如,专利文献1)。驱动晶体管的栅电极连接有用于设定、保持其电位的电容元件。驱动晶体管经由图案形成为规定形状的源极金属而与发光元件电连接。
为了对应于发光元件的高精细化和发光装置的小型化,需要通过靠近配置与发光元件相关的各要素来缩小各发光元件的面积。但是,会在相互接近的要素之间产生寄生电容。例如,由于以上构成中的源极金属和电容元件的各电极经由绝缘层而靠近配置在相互重叠的位置,所以,容易在两者之间产生寄生电容。而且,因寄生于各要素的电容,会导致阻碍发光元件的举动(发光的时间长与光量)的高精度控制的问题。以上述情况为背景,本发明的目的在于抑制对发光元件的发光造成影响的寄生电容。
专利文献1:特开2004-119219号公报
发明内容
本发明一个方式的发光装置,在基板上配置有:控制供给到发光元件的电流量的驱动晶体管、与驱动晶体管的栅电极电连接的电容元件(例如图2的电容元件C1和图25及图26的电容元件C2)、和将驱动晶体管与发光元件电连接的元件导通部(例如各实施方式中的元件导通部71、72及73),元件导通部,隔着驱动晶体管配置在与电容元件相反的一侧的区域。本方式的具体例作为第一实施方式~第三实施方式将在后面叙述。
根据该构成,由于元件导通部隔着驱动晶体管配置在与电容元件相反的一侧,所以,与从垂直于基板的方向观察,在元件导通部配置在驱动晶体管和电容元件的间隙的构成相比,寄生于电容元件和元件导通部的电容被降低。因此,可以降低电容元件及元件导通部的一方的电位变动对另一方电位的影响。
另外,电容元件典型用于设定或保持驱动晶体管的栅电极的电位。例如,一个方式中的电容元件(例如图2的电容元件C1)介于驱动晶体管的栅电极与数据线之间。在该构成中,通过电容元件的电容耦合,驱动晶体管的栅电极被设定在数据线的电位变动量所对应的电位。而且,其他方式中的电容元件(例如图25和图26的电容元件C2)介于驱动晶体管的栅电极与被供给恒定电位的布线(例如电源线)之间。在该构成中,从数据线供给到驱动晶体管的栅电极的电位保持于电容元件。
在本发明的优选方式中,驱动晶体管包括形成有沟道区域的半导体层、和隔着栅极绝缘层而与沟道区域对置的栅电极;电容元件包括:与栅电极电连接的第一电极(例如图2的电极E1)、和隔着栅极绝缘层而与第一电极对置的第二电极(例如图2的电极E2),元件导通部形成在覆盖栅电极和第一电极的绝缘层(例如图4的第一绝缘层L1)的面上。根据该方式,由于元件导通部与驱动晶体管和电容元件由不同层形成,所以,可进一步降低在元件导通部和电容元件之间寄生的电容。
在更优选的方式中,电容元件的第一电极与驱动晶体管的栅电极连接(例如各实施方式中的中间导电体51、52及53)。根据该方式,与第一电极和栅电极分开形成的构成相比,可以削减驱动晶体管与电容元件的间隙空间。
而且,在其他的方式中,驱动晶体管的半导体层和电容元件的第二电极从同一层形成。根据该构成,与半导体层和电容元件由不同层形成的情况相比,可实现制造工序的简单化和制造成本的降低。另外,在本发明中,多个要素“从同一层形成”是指,通过选择性除去公共的膜体(不论是单层还是多层),由同一工序形成多个要素,不论各要素是相互分离还是连接在一起。
在本发明具体的方式中,设置有根据选择信号而变为导通状态或者截止状态的选择晶体管,驱动晶体管的栅电极经由变为导通状态的选择晶体管而被设定在从数据线供给的数据信号所对应的电位,选择晶体管隔着电容元件配置在与驱动晶体管相反的一侧。并且,在更加优选的方式中,选择晶体管的半导体层与第二电极连接(例如半导体层41、42及43),驱动晶体管的栅电极的电位根据基于数据信号的供给而引起的第二电极的电位变动量而设定(基于电容元件的电容耦合)。在该方式中,由于选择晶体管的半导体层与第二电极连接而形成,所以,与分别由不同层形成的构造相比,可实现制造工序的简单化和制造成本的降低。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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