[发明专利]LDMOS晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种LDMOS晶体管，包括：

半导体衬底，包括平台部和突出所述平台部的凸出部；

源区，位于所述凸出部相对两侧的所述平台部内，所述源区还包括延伸至部分所述凸出部内的延伸区；

漏区，位于所述凸出部的顶部；

漂移区，位于所述凸出部内，与所述漏区相邻，并与所述延伸区之间具有间隔，所述源区、所述漏区以及所述漂移区具有相同的导电类型，所述漂移区的掺杂离子浓度小于所述漏区或所述源区的掺杂离子浓度；

栅介质层，位于所述平台部上且位于所述凸出部相对两侧的侧壁上；以及

栅电极，位于所述平台部上且位于所述栅介质层上，且所述栅电极与所述平台部之间电性绝缘。

2.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述漏区的顶部相对两侧具有向内凹进的台阶，所述台阶上覆盖有第一保护层。

3.根据权利要求2所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述第一保护层为氧化硅。

4.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述栅电极与所述平台部之间通过第一绝缘层电性绝缘。

5.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述半导体衬底中还形成有掺杂阱区，所述掺杂阱区的导电类型与所述源区、所述漏区以及所述漂移区的导电类型不同。

6.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述源区的掺杂离子浓度范围是1E19/cm³至1E21/cm³，所述漏区的掺杂离子浓度范围是1E19/cm³至1E21/cm³，所述漂移区的掺杂离子浓度范围是1E18/cm³至1E20/cm³。

7.根据权利要求5所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述掺杂阱区的掺杂离子浓度范围是1E18/cm³至1E20/cm³。

8.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述凸出部突出所述平台部的厚度范围是50纳米至500纳米，所述漏区的垂直方向的厚度范围是10纳米至200纳米，所述漂移区的垂直方向的厚度范围是10纳米至200纳米，所述漂移区与所述延伸区间隔范围是10纳米至100纳米，所述栅电极的水平方向的宽度范围是10纳米至500纳米。

9.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述栅介质层为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、或高K介电材料。

10.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述栅电极为多晶硅或者金属。

11.一种LDMOS晶体管的形成方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括平台部和突出所述平台部的凸出部；

在所述凸出部相对两侧的所述平台部内形成源区，所述源区还包括延伸至部分的所述凸出部内的延伸区；

在所述凸出部的顶部形成漏区；

在所述凸出部内形成漂移区，所述漂移区与所述漏区相邻，并与所述延伸区之间具有间隔，所述漂移区的掺杂离子浓度小于所述漏区或所述源区的掺杂离子浓度，所述源区、所述漏区以及所述漂移区的导电类型相同；

在所述平台部上且所述凸出部相对两侧的侧壁上形成栅介质层；以及

在所述平台部上且所述栅介质层上形成栅电极，所述栅电极与所述平台部之间电性绝缘。

12.根据权利要求11所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述半导体衬底的步骤包括：

提供基底；以及

在基底的部分表面上外延形成所述凸出部，所述基底构成所述平台部。

13.根据权利要求12所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述凸出部的步骤包括：

在所述基底上形成依次堆叠的第一绝缘层和牺牲层，所述牺牲层和所述第一绝缘层中形成有开口，所述开口暴露出部分的所述基底；以及

在所述开口中进行外延生长工艺，形成第一外延层，所述第一外延层的上表面低于所述牺牲层的上表面。