[发明专利]一种用于等离子体处理装置的载片台

权利要求书

1.一种应用于等离子体处理装置的用于承载基片的载片台，其中，所述基片位于所述载片台上方，其特征在于，所述载片台包括：

第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体，其中设置有一个或多个真空空洞；

静电吸盘，其位于所述第一电极上方，用于夹持基片。

2.根据权利要求1所述的载片台，其特征在于，所述一个或多个真空空洞设置于对应于所述基片中央区域下方的所述第一电极中。

3.根据权利要求1所述的载片台，其特征在于，所述一个或多个真空空洞分别设置于对应于所述基片中央区域和边缘区域，以及位于所述中央区域和所述边缘区域之间的中间区域的所述第一电极中。

4.根据权利要求3所述的载片台，其特征在于，所述对应于所述基片中央区域的一个或多个真空空洞和所述对应于所述基片中间区域的一个或多个真空空洞的体积相同。

5.根据权利要求4所述的载片台，其特征在于，所述对应于基片中央区域的一个或多个空洞与所述对应于基片中间区域的一个或多个空洞相连，成为一体。

6.根据权利要求3所述的载片台，其特征在于，所述对应于所述基片中央区域的一个或多个真空空洞的体积大于所述对应于所述基片中间区域的一个或多个真空空洞的体积。

7.根据权利要求6所述的载片台，其特征在于，所述对应于基片中央区域的一个或多个空洞与所述对应于基片中间区域的一个或多个空洞相连，成为一体。

8.根据权利要求1所述的载片台，其特征在于，所述第一电极至少包括对应于基片中央区域的第一区域，对应于基片边缘区域的第三区域，以及位于所述第一区域和所述第三区域之间的第二区域，

其中，所述等离子体处理装置还包括：

驱动装置，其用于可选地驱动所述第一区域、第二区域和第三区域的其中之一进行垂直方向上的伸缩。

9.根据权利要求8所述的载片台，其特征在于，所述驱动装置可选地驱动所述第一区域和第二区域进行垂直方向上的伸缩。

10.根据权利要求9所述的载片台，其特征在于，所述第一区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第一区域的真空空洞的体积大于所述第二区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第二区域的真空空洞的体积。

11.根据权利要求9所述的载片台，其特征在于，所述第一区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第一区域的真空空洞的体积等于所述第二区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第二区域的真空空洞的体积。

12.根据权利要求8所述的载片台，其特征在于，所述驱动装置包括电机装置、液压装置、气压装置。

13.根据权利要求1至12任一项所述的载片台，其特征在于，所述第一频率为13M赫兹以上。

14.根据权利要求13所述的载片台，其特征在于，所述基片为半导体基片，

其中，所述静电吸盘至少包括：

第一电介质层；

第二电介质层，其位于所述第一电介质层上方，并埋设有用于产生静电吸力的电极。

15.根据权利要求13所述的载片台，其特征在于，所述基片为玻璃基片，其中，所述静电吸盘至少包括一第一电介质层。

16.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括权利要求1至12任一项所述的载片台。

17.根据权利要求16所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一频率为13M赫兹以上。

18.根据权利要求16所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述基片为半导体基片，

其中，所述静电吸盘至少包括：

第一电介质层；

第二电介质层，其位于所述第一电介质层上方，并埋设有用于产生静电吸力的电极。

19.根据权利要求16所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述基片为玻璃基片，其中，所述静电吸盘至少包括一第一电介质层。