[发明专利]一种用于等离子体处理装置的载片台

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于等离子体处理装置的载片台。

背景技术

半导体工艺件的边缘效应是困扰半导体产业的一个问题。所谓半导体工艺件的边缘效应是指在等离子体处理过程中，由于等离子体受电场控制，而上下两极边缘处的场强会受边缘条件的影响，总有一部分电场线弯曲，而导致电场边缘部分场强不均，进而导致该部分的等离子体浓度不均匀。在该种情况下，生产出的半导体工艺件周围也存在一圈处理不均匀的区域。这一不均匀现象在射频电场频率越高时越明显，在射频频率大于60MHZ甚至大于100Mhz时这一等离子浓度的不均匀性程度已经很难再用其它装置如位于静电夹盘边缘的聚集环来调控。

由于半导体工艺件是圆形的，因此愈外圈面积愈大，边缘部分的各个工艺环节的均一性不佳将导致成品率显著下降。在普遍采用300mm制程的今天，半导体工艺件边缘效应带来的损失更为巨大。

因此，业内需要能够简单有效地改善边缘效应，提高制程均一性。

发明内容

针对背景技术中的上述问题，本发明提出了能够改善均一性的用于等离子体处理装置的载片台。

本发明第一方面提供了一种应用于等离子体处理装置的用于承载基片的载片台，其中，所述基片位于所述载片台上方，其特征在于，所述载片台包括：

第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体，其中设置有一个或多个真空空洞；

静电吸盘，其位于所述第一电极上方，用于夹持基片。

可选地，所述一个或多个真空空洞设置于对应于所述基片中央区域下方的所述第一电极中。

可选地，所述一个或多个真空空洞分别设置于对应于所述基片中央区域和边缘区域，以及位于所述中央区域和所述边缘区域之间的中间区域的所述第一电极中。

其中，所述对应于所述基片中央区域的一个或多个真空空洞和所述对应于所述基片中间区域的一个或多个真空空洞的体积相同。

进一步地，所述对应于基片中央区域的一个或多个空洞与所述对应于基片中间区域的一个或多个空洞相连，成为一体。

其中，所述对应于所述基片中央区域的一个或多个真空空洞的体积大于所述对应于所述基片中间区域的一个或多个真空空洞的体积。

进一步地，所述对应于基片中央区域的一个或多个空洞与所述对应于基片中间区域的一个或多个空洞相连，成为一体。

进一步地，所述第一电极至少包括对应于基片中央区域的第一区域，对应于基片边缘区域的第三区域，以及位于所述第一区域和所述第三区域之间的第二区域，

其中，所述等离子体处理装置还包括：

驱动装置，其用于可选地驱动所述第一区域、第二区域和第三区域的其中之一进行垂直方向上的伸缩。

进一步地，所述驱动装置可选地驱动所述第一区域和第二区域进行垂直方向上的伸缩。

进一步地，所述第一区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第一区域的真空空洞的体积大于所述第二区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第二区域的真空空洞的体积。

进一步地，所述第一区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第一区域的真空空洞的体积等于所述第二区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第二区域的真空空洞的体积。

进一步地，所述驱动装置包括电机装置、液压装置、气压装置。

进一步地，所述第一频率为13M赫兹以上。

进一步地，所述基片为半导体基片，

其中，所述静电吸盘至少包括：

第一电介质层；

第二电介质层，其位于所述第一电介质层上方，并埋设有用于产生静电吸力的电极。

进一步地，所述基片为玻璃基片，其中，所述静电吸盘至少包括一第一电介质层。

本发明第二方面提供了一种等离子体处理装置，其特征在于，包括本发明第一方面所述的载片台。

进一步地，所述第一频率为13M赫兹以上。

进一步地，所述基片为半导体基片，

其中，所述静电吸盘至少包括：

第一电介质层；

第二电介质层，其位于所述第一电介质层上方，并埋设有用于产生静电吸力的电极。

进一步地，所述基片为玻璃基片，其中，所述静电吸盘至少包括一第一电介质层。

本发明提供的载片台及包括该载片台的等离子体处理装置能够简单有效地改善边缘效应，提高制程均一性。

附图说明

图1是本发明的第一具体实施例的真空处理装置的载片台结构示意图；