[发明专利]等离子显示屏的介质保护膜及其制作方法和含有其的等离子显示屏无效
申请号: | 201110456495.5 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN102509680A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 邢芳丽;罗向辉 | 申请(专利权)人: | 四川虹欧显示器件有限公司 |
主分类号: | H01J9/00 | 分类号: | H01J9/00;H01J11/40;H01J11/10 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;余刚 |
地址: | 621000 四川省绵阳市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子 显示屏 介质 保护膜 及其 制作方法 含有 | ||
1.一种等离子显示屏的介质保护膜的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)在介质层上制备介质保护层;
2)在所述介质保护层上形成晶粒层,所述介质保护层和所述晶粒层形成所述介质保护膜。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述介质保护层的制备方法是将介质保护膜材料通过真空沉积法形成在所述介质层上。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,通过浆料涂布、喷涂、静电吸附、物理摩擦或化学反应法形成所述晶粒层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制作方法,其特征在于,制备所述介质保护层的材料为MgO单晶颗粒。
5.根据权利要求1-3任一项所述的制作方法,其特征在于,制备所述介质保护层的材料为掺杂其他元素的MgO晶体,其中,所述其他元素包括Ca、Zn、Be、Sr、Ba、Mo、Si、Sc、Ti或N。
6.根据权利要求1-3任一项所述的制作方法,其特征在于,所述晶粒层的晶粒为掺杂金属元素的MgO晶体,所述金属元素为Ca、Zn、Si、Sc、Ti或Ni,所述晶体为物理混合物、固溶体或者合金。
7.根据权利要求1-3任一项所述的制作方法,其特征在于,所述晶粒层的晶粒为无机材料或金属材料,选自由碳纳米管、ZnO、BeO、CaO、SrO、BaO、La205、LaB6、Mo和W组成的组中的任一种。
8.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述晶粒的粒径为5~1000nm,所述晶粒层的厚度为10~1000nm,覆盖度为0.01~100%。
9.一种等离子显示屏的介质保护膜,其特征在于,所述介质保护膜由权利要求1-任一项所述的制作方法制作而成。
10.一种等离子显示屏,包括:前基板、PDP放电电极和后基板,其特征在于,所述前基板上设置有权利要求9所述的介质保护膜。
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