[发明专利]等离子显示屏的介质保护膜及其制作方法和含有其的等离子显示屏

说明书

技术领域

本发明涉及气体放电技术领域，具体而言涉及一种等离子显示屏的介质保护膜及其制作方法和含有其的等离子显示屏。

背景技术

等离子体显示器是一种利用气体放电产生紫外线，进而激发荧光粉发出可见光而显像的一种显示器。等离子显示面板是实现放电发光的主要结构，其由前后两个基板组成。在前基板上，设置有横向维持电极和扫描电极、以及之上的介质层和介质保护膜；在后基板上，设置有纵向的寻址电极和障壁结构，放电发生在前后基板及障壁所组成的空间内。等离子显示屏的放电性能决定着等离子显示屏的亮度、光效、功耗等指标，而提高放电性能的主要手段是提高等离子显示面板介质保护膜的性能。

当前，等离子体显示面板介质保护膜最为成熟的材料为MgO，其具有耐溅射性能优良、电阻率高、二次电子发射系数高、高可见光透过率等特点。该介质保护膜能够有效保护前基板的电极和介质层、延长等离子显示屏的使用寿命、存储壁电荷、发挥内存效果、降低电压、限制放电电流，从而改善等离子显示屏的放电性能。

近年来，普遍采用提高放电气体中Xe含量的做法来提高等离子体显示器的亮度，但同时，等离子体显示器的放电电压和功耗也随之升高，这是由于氧化镁膜在高Xe含量的工作气体下二次电子发射性能较差，导致放电电压升高，因此，需要开发新的介质保护膜来提高其在高Xe环境下的二次电子发射性能，进而降低PDP的放电电压。

发明内容

本发明旨在提供等离子显示屏的介质保护膜，以解决现有技术中介质保护膜的在高Xe环境下二次电子发射系数低导致等离子显示屏放电电压低的问题。

根据本发明的一个方面，提供了一种等离子显示屏的介质保护膜的制作方法，包括以下步骤：1)在介质层上制备介质保护层；2)在介质保护层上形成晶粒层，介质保护层和晶粒层形成介质保护膜。

进一步地，上述介质保护层的制备方法是将介质保护膜材料通过真空沉积法形成在介质层上。

进一步地，通过浆料涂布、喷涂、静电吸附、物理摩擦或化学反应法形成上述晶粒层。

进一步地，制备上述介质保护层的材料为MgO单晶颗粒。

进一步地，制备上述介质保护层的材料为掺杂其他元素的MgO晶体，其中，其他元素包括Ca、Zn、Be、Sr、Ba、Mo、Si、Sc、Ti和Ni。

进一步地，上述晶粒层的晶粒为掺杂金属元素的MgO晶体，金属元素为Ca、Zn、Si、Sc、Ti或Ni，上述晶体为物理混合物、固溶体或者合金。

进一步地，上述晶粒层的晶粒为无机材料或金属材料，选自由碳纳米管、ZnO、BeO、CaO、SrO、BaO、La₂O₅、LaB₆、Mo和W组成的组中的任一种。

进一步地，上述晶粒的粒径为5～1000nm，晶粒层的厚度为10～1000nm，覆盖度为0.01～100％。

根据本发明的另一方面，还提供了一种等离子显示屏的介质保护膜，介质保护膜由上述制作方法制作而成。

根据本发明的又一方面，还提供了一种等离子显示屏，包括：前基板、PDP放电电极和后基板，其中，前基板设置有上述介质保护膜。

本发明达到的技术效果：根据本发明的制作方法并不改变原来的等离子显示屏的制作工艺，只是在介质保护层上增加了一层晶粒层，工艺过程简单，按照现有设备即可实施，介质保护层和晶粒层组成具有双层结构的介质保护膜，而且，由于晶粒层的晶粒是具有高二次电子发射系数，从而降低了介质保护膜的放电电压，应用到等离子显示屏上时提高了等离子显示屏的亮度。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

附图说明

说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本发明实施例1-5和对比例1的等离子显示屏的最小着火电压与老练时间的关系曲线图；

图2示出了根据本发明实施例1-5和对比例1的等离子显示屏的最大灭火电压与老练时间的关系曲线图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明的实施例中的技术方案进行详细的说明，但如下实施例以及附图仅是用以理解本发明，而不能限制本发明，本发明可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。