[发明专利]等离子显示屏中寻址电极及其制备方法

权利要求书

1.一种等离子显示屏中寻址电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在玻璃基板上形成至少一层第一电极部，所述第一电极部由第一金属溅射形成；

将表面设置有第一电极部的玻璃基板浸渍在第二金属溶液中，在所述第一电极部的表面形成第二电极部；

所述第二金属的化学活性小于所述第一金属。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一电极的步骤包括：

将第一金属溅射在所述玻璃基板上，形成第一金属层；

根据所需形状，将所述第一金属层曝光、显影、刻蚀形成所述第一电极部。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属为选自由Mg、Am、Dy、Ho、Er、Tm、Lu、Sc、Pu、Th、Np、Be、U、Hf、Al、Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po组成的组中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属为Cr或Cu。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二金属为Ag，所述第二金属溶液的浓度为0.015～0.08mol/L。

6.一种等离子显示屏中的寻址电极，其特征在于，包括：

至少一层第一电极部(2)，由第一金属材料溅射形成，呈所需形状地设置在玻璃基板上；

第二电极部(3)，包裹在所述第一电极部(2)的外周，由第二金属材料和位于最外层的所述第一电极部(2)的外表面的第一金属置换形成；

所述第二金属的化学活性小于所述第一金属。

7.根据权利要求6所述的寻址电极，其特征在于，所述第一金属为选自由Mg、Am、Dy、Ho、Er、Tm、Lu、Sc、Pu、Th、Np、Be、U、Hf、Al、Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po组成的组中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的寻址电极，其特征在于，所述第一金属为Cr或Cu。

9.根据权利要求6所述的寻址电极，其特征在于，所述第二金属为Ag。

10.根据权利要求6所述的寻址电极，其特征在于，所述寻址电极的厚度为0.5-10μm，宽度为30-120μm，其中所述第二电极部的厚度为0.01μ-5μm。

11.一种等离子显示屏，其特征在于，所述等离子显示屏中寻址电极为权利要求6-10中任一项所述的寻址电极。