[发明专利]等离子显示屏中寻址电极及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及等离子显示屏领域，尤其是涉及一种等离子显示屏中寻址电极及其制备方法。

背景技术

在等离子显示屏制造过程中，寻址电极的一个重要制造工艺是金属溅射法，选取适当靶材，通过溅射的方法在后基板玻璃上形成金属膜层，通过曝光显影剥膜等工艺可以形成寻址电极。然而，这种工艺方法具有严重的弊端。

目前，制备等离子显示屏中寻址电极的过程中，通常采用多层溅射的方式，即使用多种金属的复合结构，例如使用铬铜铬(Cr-Cu-Cr)电极，这是因为单一金属难以同时满足导电性优良、成本低、化学性能稳定。然而，多层电极结构导致工艺复杂，对成本和良率都有一定影响。

发明内容

本发明目的在于克服现有技术中多层电极结构导致工艺复杂，对成本和良率都有一定影响的不足，提供一种等离子显示屏中寻址电极及其制备方法。

在本发明的一个方面，提供了一种等离子显示屏中寻址电极的制备方法，包括以下步骤：在玻璃基板上形成至少一层第一电极部，第一电极部由第一金属溅射形成；将表面设置有第一电极部的玻璃基板浸渍在第二金属溶液中，在第一电极部的表面形成第二电极部；第二金属的化学活性小于第一金属。

进一步地，上述形成第一电极的步骤包括：将第一金属溅射在玻璃基板上，形成第一金属层；根据所需形状，将第一金属层曝光、显影、刻蚀形成第一电极部。

进一步地，上述第一金属为选自由Mg、Am、Dy、Ho、Er、Tm、Lu、Sc、Pu、Th、Np、Be、U、Hf、Al、Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po组成的组中的至少一种。

进一步地，上述第一金属为Cr或Cu。

进一步地，上述第二金属为Ag，第二金属溶液的浓度为0.015～0.08mol/L。

在本发明的另一个方面，还提供了一种等离子显示屏中的寻址电极，包括：至少一层第一电极部，由第一金属材料溅射形成，呈所需形状地设置在玻璃基板上；第二电极部，包裹在所述第一电极部的外周，由第二金属材料和位于最外层的所述第一电极部的外表面的第一金属置换形成；第二金属的化学活性小于第一金属。

进一步地，上述第一金属为选自由Mg、Am、Dy、Ho、Er、Tm、Lu、Sc、Pu、Th、Np、Be、U、Hf、Al、Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po组成的组中的至少一种。

进一步地，上述第一金属为Cr或Cu。

进一步地，上述第二金属为Ag。

进一步地，上述寻址电极的厚度为0.5-10μm，宽度为30-120μm，其中第二电极部的厚度为0.01μ-5μm。

在本发明的另一个方面，还提供了一种等离子显示屏，其包括的寻址电极为上述的寻址电极。

本发明的有益效果：本发明所提供的等离子显示屏中寻址电极及其制备方法，通过采用化学活性相对较差的金属离子与玻璃基板表面上溅射形成的金属层进行离子置换，至少减少了一次溅射形成金属层的步骤，简化了工艺步骤，且减少了工艺和材料的投入，降低了成本。同时，这种方法制备寻址电极的良率高，且产品的导电性优良、化学性能稳定。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。

附图说明

附图构成本说明书的一部分、用于进一步理解本发明，附图示出了本发明的优选实施例，并与说明书一起用来说明本发明的原理。图中：

图1示出了根据本发明实施例寻址电极中第一电极部的结构示意图；以及

图2示出了根据本发明实施例的寻址电极中第一电极部和第二电极部的复合结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明的实施例中的技术方案进行详细的说明，但如下实施例以及附图仅是用以理解本发明，而不能限制本发明，本发明可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

在本发明的一种典型的实施方式中，一种等离子显示屏中寻址电极的制备方法包括以下步骤：在玻璃基板上形成至少一层第一电极部，第一电极部由第一金属溅射形成；将表面设置有第一电极部的玻璃基板浸渍在第二金属溶液中，在第一电极部的表面形成第二电极部；第二金属的化学活性小于第一金属。