[发明专利]背镀金属LED的切割方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种LED切割方法。

背景技术

现有技术中针对背镀金属的LED，其切割通常采用正表面激光普通切割；这种切割方式带来的缺点是，正表面激光普通切割对LED侧壁出的光吸收较大，影响出光效率。

发明内容

本发明的目的是提高背镀金属LED的出光效率，增加侧壁出光，提高出光效率。

为了达到上述技术目的，本发明提供了一种背镀金属LED的切割方法，所述的背镀金属LED包括基板、位于所述的基板上方的N-GaN层、分别位于所述的N-GaN层上方的负极、P-GaN层与正极，以及位于所述的基板下方的金属背板，该方法包括依次进行的如下步骤：

（a）生长SiO₂层：生长一层覆盖于所述的N-GaN层、负极、P-GaN层以及正极上方的SiO₂层；

（b）涂覆光刻胶：在所述的SiO₂层上方涂覆一层光刻胶；

（c）光刻：通过曝光机蚀刻除去位于分割位置处的光刻胶；

（d）蚀刻SiO₂沟槽：蚀刻除去位于分割位置处的SiO₂；

（e）GaN刻蚀：蚀刻除去位于分割位置处的GaN层；

（f）去光刻胶：去除剩余的光刻胶；

（g）SiO₂腐蚀：去除剩余的SiO₂；

（h）隐形切割：通过隐形切割的方式于分割位置切割所述的基板与金属背板。

优选地，所述的基板为蓝宝石基板。

优选地，所述的金属背板为铝背板。

由于采用上述技术方案，利用SiO₂和光刻胶做研磨材料，将MESA处的N-GaN全部刻蚀掉，如此可对其进行正面隐形切割，提高出光效率，由于避免了普通紫外切割所引起的侧壁烧焦，减少了吸光，也就提升了亮度。此外，如果做了隐形切割就不用做侧腐蚀SWE的洗边工艺了，简化了前制程的工艺。

附图说明

附图1为背镀金属LED的结构示意图；

附图2为根据本发明的步骤（a）的示意图；

附图3为根据本发明的步骤（b）的示意图；

附图4为根据本发明的步骤（c）的示意图；

附图5为根据本发明的步骤（d）的示意图；

附图6为根据本发明的步骤（e）的示意图；

附图7为根据本发明的步骤（f）的示意图；

附图8为根据本发明的步骤（g）的示意图；

附图9为根据本发明的步骤（h）的示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

参见附图1至附图9，为根据本发明的背镀金属LED的切割方法的生产加工流程示意图。如附图1所示，该背镀金属LED包括基板、位于基板上方的N-GaN层、分别位于N-GaN层上方的负极、P-GaN层与正极，以及位于基板下方的金属背板，其中，基板为蓝宝石基板，金属背板为铝背板。

本实施例中的背镀金属LED的切割方法，包括如下步骤：

（a）生长SiO₂层：如附图2所示，生长一层覆盖于N-GaN层、负极、P-GaN层以及正极上方的SiO₂层；

（b）涂覆光刻胶：如附图3所示，在SiO₂层上方涂覆光刻胶；

（c）光刻：如附图4所示，通过曝光机蚀刻除去位于分割位置处的光刻胶；