[发明专利]半导体封装件有效
申请号: | 201110458334.X | 申请日: | 2011-10-14 |
公开(公告)号: | CN102569217A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 卢熙摞 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/488;H01L23/13 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
衬底,包括形成在该衬底的上表面上的第一凹槽;以及
第一弯曲半导体芯片,包括第一边缘部分,该第一边缘部分插入到形成在该衬底的该上表面上的该第一凹槽中。
2.如权利要求1所述的半导体封装件,
其中该第一弯曲半导体芯片包括第二边缘部分,该第二边缘部分插入到形成在该衬底的该上表面上的第二凹槽中;以及
其中该第一弯曲半导体芯片安装为使得该第一弯曲半导体芯片的该第一边缘部分和该第二边缘部分分别插入到该第一凹槽和该第二凹槽中。
3.如权利要求2所述的半导体封装件,进一步包括:
粘接部件,位于该衬底的该上表面和该第一弯曲半导体芯片之间。
4.如权利要求2所述的半导体封装件,
其中该衬底包括形成在该第一凹槽和该第二凹槽每一个的表面上的接合指。
5.如权利要求4所述的半导体封装件,
其中该第一弯曲半导体芯片包括接合焊盘,该接合焊盘形成在该第一边缘部分和该第二边缘部分的每一个上,以电连接形成在该第一凹槽和该第二凹槽每一个的表面上的接合指。
6.如权利要求5所述的半导体封装件,其中该第一弯曲半导体芯片进一步包括形成在该接合焊盘的每一个上的凸块。
7.如权利要求4所述的半导体封装件,其中一个或更多凹槽形成为矩形横截面形状,并且每个凹槽中的该接合指形成在该凹槽的底表面或侧表面上。
8.如权利要求4所述的半导体封装件,其中一个或更多凹槽形成为梯形横截面形状,并且每个凹槽中的该接合指形成在该凹槽的底表面或侧表面上。
9.如权利要求2所述的半导体封装件,进一步包括第二弯曲半导体芯片,该第二弯曲半导体芯片包括第三边缘部分,该第三边缘部分插入到形成在该衬底的该上表面上的第三凹槽中。
10.如权利要求9所述的半导体封装件,进一步包括:
粘接部件,位于该第一弯曲半导体芯片和该第二弯曲半导体芯片之间。
11.如权利要求10所述的半导体封装件,其中该第二弯曲半导体芯片包括形成在该第三边缘部分上的端部接合焊盘。
12.如权利要求11所述的半导体封装件,其中该第二弯曲半导体芯片包括:
中间接合焊盘,形成在该第二弯曲半导体芯片的表面的中间部分上;以及
再分布线,形成在该第二弯曲半导体芯片的该表面上,以电连接该中间接合焊盘和该端部接合焊盘。
13.如权利要求12所述的半导体封装件,其中该衬底包括形成在该第三凹槽的表面上的接合指,以电连接形成在该第二弯曲半导体芯片的该第三边缘部分上的端部接合焊盘。
14.如权利要求13所述的半导体封装件,其中该第二半导体芯片进一步包括形成在该端部接合焊盘上的凸块。
15.如权利要求13所述的半导体封装件,其中该第三凹槽形成为矩形横截面形状,并且该第三凹槽中的该接合指形成在该第三凹槽的底表面或侧表面上。
16.如权利要求13所述的半导体封装件,其中该第三凹槽形成为梯形横截面形状,并且该第三凹槽中的接合指形成在该第三凹槽的底表面或侧表面上。
17.如权利要求12所述的半导体封装件,其中该第二弯曲半导体芯片还包括:
凸块,形成在与该第二弯曲半导体芯片的该第三边缘部分对应的该再分布线的一个端部上。
18.如权利要求17所述的半导体封装件,其中该再分布线被保护材料覆盖,但暴露该凸块。
19.如权利要求1所述的半导体封装件,进一步包括:
包封部件,覆盖该第一弯曲半导体芯片和该衬底的该上表面;以及
外部安装部件,贴附到该衬底的下表面。
20.如权利要求19所述的半导体封装件,其中该第一弯曲半导体芯片包括:
中间接合焊盘,形成在该第一弯曲半导体芯片的表面的中间部分上;
再分布线,形成在该第一弯曲半导体芯片的该表面上,以电连接该第一弯曲半导体芯片的该中间接合焊盘和第一接合焊盘。
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