[发明专利]一种有机薄膜晶体管电流-电压仿真模型的参数提取方法

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管电流-电压仿真模型的参数提取方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步利用有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型来准确描述有机薄膜晶体管的电流电压特性；

有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型：

Ids=W/L·(ϵPSI/tox)·μ0(Vgs-VT)γa+1/Vaaγa1+R·W/L·(ϵPSI/tox)·μ0(Vgs-VT)γa+1/Vaaγa×Vds/[1+(Vdsαsat·(Vgs-VT))m]1/m×(1+λ·Vds)+SIGMA0·Vds]]>

式中：I_ds为漏源电流，V_ds为器件的漏源电压，V_gs为栅源电压，W和L分别为OTFT的沟道宽度和长度，R为漏、源接触电阻，ε_PSI为栅绝缘层介电常数，t_ox为栅绝缘层厚度，V_T为阈值电压，μ₀为低场迁移率；

第二步确定有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型中需要提取的七个参数：

阈值电压V_T，载流子迁移率幂律参数γ_a，场效应迁移率的特征电压V_aa，迁移率的饱和调制参数α_sat，弯曲调制参数m，沟道长度调制参数λ，泄漏电流参数SIGMA0；

第三步逐个确定各个参数的提取方法：

1)根据阈值电压定义，利用OTFT转移特性曲线，根据阈值电压定义，确定阈值电压V_T；

2)根据OTFT转移特性曲线，将I_ds做如下计算获得载流子迁移率幂律参数γ_a：

∫0VgsIds(x)dxIds(Vgs)=1γa+2(Vgs-VT);]]>

3)提取场效应迁移率的特征电压V_aa

Vaa=[μ0·W/L·CDIEL·(Vgs-VT)γa+1·VdsIds]1/γa]]>

式中：C_DIEL栅绝缘层的单位电容；

4)提取饱和调制参数α：

α=SSγa+2Vaaγa21/m/(μ0·W/L·CDIEL)]]>

式中：S_S为近饱和区域相对于(V_gs-V_T)的斜率；

5)提取获得弯曲调制参数m：

m=log2/log[α·μ0·CDIEL·W/(L·VaaγaSSγa+2)]]]>

6)提取沟道长度调制参数λ：

λ=[IdsVds2[1+[Vdsα(Vgs-VT)]m]1/mK/Vaaγa(Vgs-VT)γa·(Vgs-VT)]-1/Vds;]]>

7)提取泄漏电流参数SIGMA0：

SIGMA0＝I_leakage/V_ds

式中：I_leakage为泄漏电流。