[发明专利]一种有机薄膜晶体管电流-电压仿真模型的参数提取方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机半导体集成电路领域器件模型的参数提取技术，主要用于有机薄膜晶体管直流电流-电压特性模型的建立及参数提取。

背景技术

近年来，以有机材料为基础的有机薄膜晶体管(OTFT)的发展非常迅速，其性能取得了很大的提高。由于其在工艺和成本上的优越性，利用OTFT制作的以有机射频识别标签(Organic RFID)为典型代表的有机集成电路得到了广泛的研究和关注。复杂集成电路的设计需要在生产、制造前先对其功能、性能进行评估，这需要通过电路仿真来完成，而有机电路仿真需要有相应的软件及能够准确描述OTFT性能的器件模型。因此，建立准确的OTFT器件的模型对于能否利用通用的电路仿真软件来准确的模拟有机集成电路的性能，能否准确、有效的设计有机集成电路，最终实现大规模有机集成电路具有非常重要意义。

电路模拟的精确度不仅与器件模型本身有关，还与器件模型参数值的准确性密切相关。因此，能否准确获得模型中的参数对于准确描述器件的性能起到至关重要的作用，模型参数的提取也就成为建模中的一个重要环节。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为所建立的OTFT直流电流-电压特性模型提供一种准确的参数提取方法，以此准确描述OTFT直流电流-电压特性。

为解决上述问题，本发明采取以下技术方案。

一种有机薄膜晶体管电流-电压仿真模型的参数提取方法，包括以下步骤：

第一步利用有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型来准确描述有机薄膜晶体管的电流电压特性；

有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型：

Ids=W/L·(ϵPSI/tox)·μ0(Vgs-VT)γa+1/Vaaγa1+R·W/L·(ϵPSI/tox)·μ0(Vgs-VT)γa+1/Vaaγa×Vds/[1+(Vdsαsat·(Vgs-VT))m]1/m×(1+λ·Vds)+SIGMA0·Vds]]>