[发明专利]硅通孔测试结构及测试方法

权利要求书

1.一种硅通孔测试结构，包括：

半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的层间介质层，位于所述半导体衬底和层间介质层内的硅通孔；

其特征在于，还包括，至少一个互连结构环，所述互连结构环呈环形分布在所述硅通孔外围，所述互连结构环由不同层的金属层和位于所述金属层之间的导电插塞串联而成。

2.如权利要求1所述的硅通孔测试结构，其特征在于，所述金属层至少包括两层。

3.如权利要求1所述的硅通孔测试结构，其特征在于，当所述互连结构环为至少两个时，所述互连结构环呈同心环分布，各互连结构之间的间距相等。

4.如权利要求3所述的硅通孔测试结构，其特征在于，所述同心环分布为同心圆环分布或同心矩形环分布。

5.如权利要求1所述的硅通孔测试结构，其特征在于，所述互连结构环为非封闭。

6.如权利要求1所述的硅通孔测试结构，其特征在于，所述硅通孔的数量为至少一个。

7.如权利要求1所述的硅通孔测试结构，其特征在于，当所述互连结构环为多个时，所述相邻的互连结构环中位于同一层的金属层和位于同一层的导电插塞之间的间距等于最小设计间距。

8.一种利用如权利要求1所述的硅通孔测试结构的测试方法，其特征在于，包括：

在远离硅通孔的方向上依次对相邻的互连结构环施加测试电压，测试对应的击穿电压；

将所述击穿电压与参考击穿电压进行比较，获得硅通孔产生的应力对层间介质层产生影响的最大范围。

9.如权利要求8所述的测试方法，其特征在于，所述参考击穿电压为没有硅通孔的形状相同的互连结构环中对应的两个互连结构环之间的击穿电压。

10.如权利要求8所述的测试方法，其特征在于，当某次测得的击穿电压第一次等于所述参考击穿电压时，对应的两个互连结构环中更靠近硅通孔的互连结构环围成的区域即为硅通孔的应力对层间介质层的影响的最大范围。

11.一种利用如权利要求5所述的硅通孔测试结构的测试方法，其特征在于，包括：

在远离硅通孔的方向上依次对每一个互连结构环的开口两端施加测试电压，测试对应的电阻；

将所述电阻与参考电阻进行比较，获得硅通孔产生的应力对互连结构产生影响的最大范围。

12.如权利要求11所述的测试方法，其特征在于，所述参考电阻为没有硅通孔的形状相同的互连结构环的电阻。

13.如权利要求11所述的测试方法，其特征在于，当某次测得的电阻第一次等于所述参考电阻时，对应的互连结构环围成的区域为硅通孔的应力对互连结构产生影响的最大范围。