[发明专利]嵌入式闪存中晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种嵌入式闪存中晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有低压栅极结构和存储栅极结构；

形成第一介质层，覆盖所述衬底、低压栅极结构和存储栅极结构，之后在所述存储栅极结构周围形成中间侧墙；

形成第二介质层，覆盖所述第一介质层和中间侧墙；

干法刻蚀所述第一介质层和第二介质层，在所述低压栅极结构周围形成低压侧墙，在所述存储栅极结构周围形成存储侧墙；所述低压侧墙包括刻蚀第一介质层形成的内侧墙、刻蚀第二介质层形成的外侧墙；所述存储侧墙包括所述中间侧墙、刻蚀第一介质层形成的内侧墙、刻蚀第二介质层形成的外侧墙；

去除所述存储栅极结构的外侧墙、中间侧墙和低压栅极结构的外侧墙；

对所述衬底进行离子注入，形成所述低压栅极结构的源极和漏极、所述存储栅极结构的源极和漏极。

2.如权利要求1所述的嵌入式闪存中晶体管的形成方法，其特征在于，所述衬底上还具有高压栅极结构，所述高压栅极结构与所述存储栅极结构相同；

所述第一介质层也覆盖所述高压栅极结构，在所述高压栅极结构周围也形成中间侧墙；

干法刻蚀所述第一介质层和第二介质层时，在所述高压栅极结构的周围形成高压侧墙；所述高压侧墙包括中间侧墙、刻蚀第一介质层形成的内侧墙、刻蚀第二介质层形成的外侧墙；

去除所述存储侧墙的外侧墙、中间侧墙和低压侧墙的外侧墙时，也去除高压侧墙的外侧墙和中间侧墙；

对所述衬底进行离子注入时，也形成高压栅极结构的源极和漏极。

3.如权利要求1所述的嵌入式闪存中晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一介质层为双层结构。

4.如权利要求4所述的嵌入式闪存中晶体管的形成方法，其特征在于，所述双层结构包括：氧化硅层和氮化硅层，所述氮化硅层覆盖所述氧化硅层。

5.如权利要求1所述的嵌入式闪存中晶体管的形成方法，其特征在于，在所述存储栅极结构周围形成中间侧墙包括：

在所述第一介质层上形成第三介质层；

干法刻蚀所述第三介质层，在所述低压栅极结构周围和存储栅极结构周围形成中间侧墙；

去除所述低压栅极结构周围的中间侧墙。

6.如权利要求5所述的嵌入式闪存中晶体管的形成方法，其特征在于，所述去除所述低压栅极结构周围的中间侧墙包括：

形成光刻胶层，覆盖所述第一介质层、低压栅极结构及其周围的中间侧墙、存储栅极结构及其周围的中间侧墙；

图形化所述光刻胶层，剩余覆盖所述存储栅极结构及其周围中间侧墙的光刻胶层；

以所述图形化的光刻胶层为掩膜，去除所述低压栅极结构周围的中间侧墙；

去除所述图形化的光刻胶层。

7.如权利要求6所述的嵌入式闪存中晶体管的形成方法，其特征在于，去除所述低压栅极结构周围的中间侧墙的方法为湿法刻蚀。

8.如权利要求6所述的嵌入式闪存中晶体管的形成方法，其特征在于，所述第三介质层为氧化硅层。

9.如权利要求1所述的嵌入式闪存中晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二介质层为氧化硅层。

10.如权利要求1所述的嵌入式闪存中晶体管的形成方法，其特征在于，所述低压栅极结构包括栅极、位于所述栅极和衬底之间的第一栅介质层，所述存储栅极结构包括第一栅极、位于第一栅极和衬底之间的第二栅介质层、位于所述第一栅极上的隧穿介质层、位于所述隧穿介质层上的第二栅极。

11.如权利要求10所述的嵌入式闪存中晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一栅介质层为氧化硅层。

12.如权利要求10所述的嵌入式闪存中晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二栅介质层为氧化硅层。

13.如权利要求10所述的嵌入式闪存中晶体管的形成方法，其特征在于，所述隧穿介质层为三层结构，包括两层氧化硅层和位于两层氧化硅层之间的氮化硅层。

14.如权利要求10所述的嵌入式闪存中晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅极为多晶硅栅极。

15.如权利要求10所述的嵌入式闪存中晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二栅极为多晶硅栅极。

16.如权利要求10所述的嵌入式闪存中晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一栅极为多晶硅栅极。