[发明专利]嵌入式闪存中晶体管的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及嵌入式闪存中晶体管的形成方法。

背景技术

在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：逻辑、存储器和模拟电路，其中存储器件在集成电路产品中占了相当大的比例。而在存储器件中，近年来闪速存储器(flash memory，简称闪存)的发展尤为迅速。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，具有集成度高、较快的存取速度、易于擦除和重写等多项优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。

随着半导体技术发展，对存储器件进行更为广泛的应用，需要将所述存储器件与其他器件区同时形成在一个芯片上，以形成嵌入式半导体存储装置。例如将所述存储器件内嵌置于中央处理器，则需要使得所述存储器件与嵌入的中央处理器平台进行兼容，并且保持原有的存储器件的规格及对应的电学性能。一般地，需要将所述存储器件与嵌入的标准逻辑装置进行兼容。对于嵌入式闪存器件，其通常分为逻辑区和存储区，逻辑区通常包括高压晶体管和低压晶体管，存储区则包括存储晶体管。

图1～图4为现有技术中形成高压晶体管、低压晶体管和存储晶体管的方法的剖面结构示意图，结合参考图1～图4，现有技术中形成高压晶体管、低压晶体管和存储晶体管的方法包括：

参考图1，提供衬底10，在所述衬底10上形成低压栅极结构11、高压栅极结构12和存储栅极结构13，并在高压栅极结构12的周围形成内侧墙121、在存储栅极结构13的周围形成内侧墙131。低压栅极结构11为单层栅极结构，高压栅极结构12和存储栅极结构13为双层栅极结构。

接着参考图2，形成ONO介质层，具体为：形成氧化层14，覆盖所述衬底10、低压栅极结构11、高压栅极结构12、存储栅极结构13以及内侧墙121、内侧墙131，在氧化层14上形成氮化硅层15，在氮化硅层15上形成氧化硅层16。

之后参考图3，对ONO介质层进行刻蚀，在低压栅极结构11周围形成侧墙111，在高压栅极结构12的周围形成外侧墙122，在存储栅极结构13的周围形成外侧墙132。内侧墙121和外侧墙122构成了高压栅极结构12的侧墙，内侧墙131和外侧墙132构成了存储栅极结构13的侧墙。

形成低压栅极结构11、高压栅极结构12和存储栅极结构13的侧墙之后，参考图4，可以对衬底10进行离子注入形成低压晶体管的源极112和漏极113、高压晶体管的源极123和漏极124、存储晶体管的源极133和漏极134。接着，形成层间介质层17，覆盖衬底10以及其上形成的结构；然后，可以在层间介质层17中形成接触插栓(图中未示)，接触插栓与低压晶体管的源极112、漏极113和栅极、高压晶体管的源极123、漏极124和栅极、存储晶体管的源极133、漏极134和栅极电连接。

由于高压晶体管的栅极和源极之间的击穿电压、存储晶体管的栅极和源极之间的击穿电压大于低压晶体管的栅极和源极之间的击穿电压，因此，需要使高压晶体管侧墙的宽度、存储晶体管侧墙的宽度大于低压晶体管侧墙的宽度，以此来达到进行离子注入形成源极、漏极时，存储晶体管的源极、漏极与栅极之间的距离、高压晶体管的源极、漏极与栅极之间的距离大于低压晶体管的源极、漏极与栅极之间的距离，使高压晶体管的栅极和源极之间的击穿电压、存储晶体管的栅极和源极之间的击穿电压大于低压晶体管的栅极和源极之间的击穿电压。现有技术中通过在高压栅极结构、存储栅极结构周围形成内侧墙，之后再在低压栅极结构、高压栅极结构以及存储栅极结构周围统一形成侧墙，以此来达到使高压晶体管侧墙的宽度、存储晶体管侧墙的宽度大于低压晶体管侧墙的宽度。