[发明专利]等离子显示屏的介质保护膜及其制备方法和等离子显示屏无效
| 申请号： | 201110459371.2 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103794441A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 罗向辉;邢芳丽 | 申请（专利权）人： | 四川虹欧显示器件有限公司 |
| 主分类号： | H01J11/40 | 分类号： | H01J11/40;H01J9/00;H01J11/10 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;余刚 |
| 地址： | 621000 四川省绵阳市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子 显示屏 介质 保护膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种等离子显示屏的介质保护膜，其特征在于，所述介质保护膜包括：
氧化镁层；以及
设置在所述氧化镁层上表面的绝缘氧化物层，所述绝缘氧化物层的材料选自由SiO2、TiO2、ZnO、BaTiO3和Al2O3组成的组中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的介质保护膜，其特征在于，所述氧化镁层的材料为氧化镁。
3.根据权利要求1所述的介质保护膜，其特征在于，所述氧化镁层进一步掺杂有Ca、Ce、Sr、Ba、Be、Ra、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、Na或Al组成的组中的一种或多种的混合物。
4.根据权利要求1所述的介质保护膜，其特征在于，所述绝缘氧化物层的厚度为所述氧化镁层厚度的1/30～1/80。
5.一种如权利要求1-4任一项所述等离子显示屏的介质保护膜的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)在等离子显示屏的介质层上形成氧化镁层；
2)在氧化镁层的上表面形成绝缘氧化物层。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，通过真空沉积法制得所述氧化镁层和所述绝缘氧化物层。
7.一种等离子显示屏，包括：前基板、PDP放电电极和后基板，其特征在于，所述前基板包含权利要求1-4任一项所述的介质保护膜。
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