[发明专利]等离子显示屏的介质保护膜及其制备方法和等离子显示屏无效
申请号: | 201110459371.2 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN103794441A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 罗向辉;邢芳丽 | 申请(专利权)人: | 四川虹欧显示器件有限公司 |
主分类号: | H01J11/40 | 分类号: | H01J11/40;H01J9/00;H01J11/10 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;余刚 |
地址: | 621000 四川省绵阳市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子 显示屏 介质 保护膜 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及气体放电技术领域,具体而言涉及一种等离子显示屏的介质保护膜、其制备方法及含有其的等离子显示屏。
背景技术
等离子体显示器(PDP)是一种利用气体放电产生紫外线,进而激发荧光粉发出可见光而显像的一种显示器。等离子显示面板是实现放电发光的主要结构,其由前后两个基板组成。在前基板上,设置有横向的维持电极和扫描电极、以及之上的介质层和介质保护膜;在后基板上,设置有纵向的寻址电极和障壁结构。放电发生在前后基板及障壁所组成的空间内。等离子显示屏的放电性能决定着等离子显示屏的亮度、光效、功耗等指标,而提高放电性能的主要手段是提高等离子显示面板介质保护膜的性能。
当前,等离子体显示面板介质保护膜主要由MgO构成,其具有耐溅射性能优良、电阻率高、二次电子发射系数高、高可见光透过率等特点。该介质保护膜能够有效保护前基板的电极和介质层、延长等离子显示屏的使用寿命、存储壁电荷、发挥内存效果、降低电压、限制放电电流,从而改善等离子显示屏的放电性能。
但是,氧化镁本身在空气中的稳定性也不好,作为保护膜在制作的过程中容易受到污染。另外,为了进一步的降低PDP的放电电压,提高PDP的发光效率,研究者们围绕目前广泛应用的MgO介质保护膜开展了大量的研究工作,其中包括在氧化镁中掺杂一种或两种其他元素来得到二次电子发射系数较高的保护膜材料。研究发现当掺杂进去其他元素,如掺杂碱土金属氧化物CaO、SrO、BaO等均可降低PDP的着火电压,但这些氧化物本身的稳定性不好,就存在掺杂进去这些物质后造成介质保护膜的稳定性变差,难以在空气中存放,给加工的工艺设备造成很大的困难。
因此增强上述保护膜材料和传统的MgO保护膜材料的稳定性,使其发挥作用降低等离子显示屏的放电电压,是目前亟需解决的问题。
发明内容
本发明旨在提供一种等离子显示屏的介质保护膜,以解决现有技术中介质保护膜的稳定性变差、等离子显示屏的放电电压高的问题。
为了实现上述目的,根据本发明的一个方面,提供了一种等离子显示屏的介质保护膜,介质保护膜包括:氧化镁层;以及设置在氧化镁层上表面的绝缘氧化物层,绝缘氧化物层的材料选自由SiO2、TiO2、ZnO、BaTiO3和Al2O3组成的组中的一种或多种。
进一步地,上述氧化镁层的材料为氧化镁。
进一步地,上述氧化镁层进一步掺杂有Ca、Ce、Sr、Ba、Be、Ra、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、Na、Al组成的组中的一种或多种的混合氧化物。
进一步地,上述绝缘氧化物层的厚度为氧化镁层厚度的1/30~1/80。
根据本发明的另一方面,还提供了一种上述等离子显示屏的介质保护膜的制作方法,包括如下步骤:1)在等离子显示屏的介质层上形成氧化镁层;2)在氧化镁层的上表面形成绝缘氧化物层。
进一步地,通过真空沉积法制得上述氧化镁层和绝缘氧化物层。
根据本发明的又一方面,还提供了一种等离子显示屏,包括:前基板、PDP放电电极和后基板,前基板包含上述介质保护膜。
根据本发明的介质保护膜包括有氧化镁保护膜层和绝缘氧化物层两层结构组成,氧化镁层处在底层,绝缘氧化物层处在顶层,绝缘氧化物层保护氧化镁层在后续的加工工序中暴露在空气中时不被污染,增强了氧化镁保护膜的稳定性,而且在老练施加电压放电的时候由于绝缘氧化物层不耐溅射,会很快的被溅射掉,继而下层的氧化镁开始发挥其作用,降低了PDP的放电电压,提高了其发光效率。
除了上面所描述的目的、特征和优点之外,本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例,对本发明的实施例中的技术方案进行详细的说明,但如下实施例以仅是用以理解本发明,而不能限制本发明,本发明可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
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