[发明专利]晶圆清洗方法有效

专利信息
申请号: 201110459405.8 申请日: 2011-12-31
公开(公告)号: CN103182392A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 宋振伟;荣楠;廖勇;李芳;董飏 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: B08B11/00 分类号: B08B11/00;B08B3/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 清洗 方法
【权利要求书】:

1.一种晶圆清洗方法,其特征在于,包括:

提供晶圆清洗机,所述清洗机包含旋转台和喷嘴;

提供晶圆,将所述晶圆固定在所述旋转台上;

将所述喷嘴置于所述晶圆的上方并对准晶圆的中心位置;

启动旋转台,所述旋转台带动所述晶圆旋转;

使所述喷嘴喷出清洗液对所述晶圆的中心位置进行清洗;

将所述喷嘴移至所述晶圆一侧的边缘位置,使所述喷嘴沿着直径方向在晶圆的一侧边缘和其相对的另一侧边缘之间来回移动,且所述喷嘴喷出清洗液对所述晶圆进行清洗;

将所述喷嘴移至介于所述晶圆圆心和晶圆边缘之间的中间位置,且所述喷嘴喷出清洗液对所述晶圆进行清洗;以及

使所述旋转台停止旋转。

2.如权利要求1所述的晶圆清洗方法,其特征在于,所述晶圆上形成有金属硅化物。

3.如权利要求2所述的晶圆清洗方法,其特征在于,所述金属硅化物为硅化镍和硅化铂。

4.如权利要求1所述的晶圆清洗方法,其特征在于,所述清洗液为硫酸和双氧水的混合溶液(SPM)。

5.如权利要求4所述的晶圆清洗方法,其特征在于,所述清洗液的温度为160℃~180℃。

6.如权利要求4所述的晶圆清洗方法,其特征在于,所述硫酸和双氧水的体积比为(1.8~2.2)∶(0.8~1.2)。

7.如权利要求1所述的晶圆清洗方法,其特征在于,所述清洗机的旋转台的转速为400~600rmp。

8.如权利要求1所述的晶圆清洗方法,其特征在于,所述清洗机喷嘴在晶圆中心位置停留且喷出清洗液的总的时间为9~11s。

9.如权利要求1所述的晶圆清洗方法,其特征在于,所述喷嘴沿着直径方向,在晶圆的一侧边缘和其相对的另一侧边缘之间来回移动且喷出清洗液的总的时间为36~44s。

10.如权利要求1所述的晶圆清洗方法,其特征在于,所述喷嘴沿着直径方向,在晶圆的一侧边缘和其相对的另一侧边缘之间来回移动的速度为30~50毫米/秒。

11.如权利要求1所述的晶圆清洗方法,其特征在于,所述清洗机喷嘴在介于晶圆圆心和晶圆边缘之间的中间位置停留且喷出清洗液的总的时间为4~12s。

12.如权利要求1所述的晶圆清洗方法,其特征在于,所述介于晶圆圆心和晶圆边缘之间的中间位置位于一个环形区域内。

13.如权利要求12所述的晶圆清洗方法,其特征在于,所述环形区域的外圆周半径为3/5晶圆半径,内圆周半径为2/5晶圆半径。

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