[发明专利]晶圆清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶圆清洗方法。

背景技术

在半导体的制造工艺中，通常涉及自对准金属硅化物的形成，目前镍铂合金(NiPt)已经被广泛用于形成自对准金属硅化物。通常形成自对准硅化物的过程包括：提供晶圆，所述晶圆上形成有介质层和未被介质层覆盖的硅；在所述介质层上形成NiPt；进行退火，使硅和所述NiPt反应形成自对准硅化物；去除未与硅反应的NiPt。其中，在去除没有和硅反应的NiPt后，可能仍然存在未反应的镍铂残留在晶圆表面，这些镍铂残留物是需要被清除。若这些镍铂残留物不被去除干净，将严重影响晶圆表面后续所形成的元器件的性能。

在传统工艺中，上述镍铂残留物是采用浸入式清洗方法去除的，即，将附有镍铂残留物的晶圆浸入装有清洗液的清洗槽，但是该清洗操作过程难以控制，比如在该清洗过程中，先浸入清洗液的晶圆部分也是最后离开清洗液的部分，这就造成了晶圆表面的浸泡时间不一致，从而造成晶圆表面被清洗程度的不均匀。

随着晶圆清洗工艺的发展，目前，喷淋式的单片清洗机已经被应用在去除镍铂残留物的工艺中。如公开号为CN1527364A的中国专利申请公开了一种采用喷淋式的单片清洗机的晶圆清洗方法。如图1所示，图1是喷淋式晶圆清洗机的结构示意图，所述喷淋式单片清洗机包括旋转台(图中没有显示)和喷嘴2，所述旋转台用于放置晶圆1且带动晶圆1转动，所述喷嘴2被设置在晶圆1的上方，且可以在晶圆1表面移动，用于喷出清洗液对晶圆1进行清洗。但是，上述方法没有给出具体的清洗方案。

因此，需要一种新的晶圆清洗方法。

发明内容

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种晶圆清洗方法，能够对晶圆表面进行均匀清洗，更加有效地去除晶圆表面形成自对准金属硅化物后的镍铂残留物，从而减少所述镍铂残留物对晶圆表面所形成的元器件产生不良影响。

本发明实施例提供的所述晶圆清洗方法，包括：

提供晶圆清洗机，所述清洗机包含旋转台和喷嘴；

提供晶圆，将所述晶圆固定在所述旋转台上；

将所述喷嘴置于所述晶圆的上方并对准晶圆的中心位置；

启动旋转台，所述旋转台带动所述晶圆旋转；

使所述喷嘴喷出清洗液对所述晶圆的中心位置进行清洗；

将所述喷嘴移至所述晶圆一侧的边缘位置，使所述喷嘴沿着直径方向在晶圆的一侧边缘和其相对的另一侧边缘之间来回移动，且所述喷嘴喷出清洗液对所述晶圆进行清洗；

将所述喷嘴移至介于所述晶圆圆心和晶圆边缘之间的中间位置，且所述喷嘴喷出清洗液对所述晶圆进行清洗；以及

使所述旋转台停止旋转。

可选地，所述晶圆上形成有金属硅化物。

可选地，所述金属硅化物为硅化镍和硅化铂。

可选地，所述清洗液为硫酸和双氧水的混合溶液(SPM)。

可选地，所述清洗液的温度为160～180℃。

可选地，所述SPM中，硫酸和双氧水的体积比为(1.8～2.2)∶(0.8～1.2)。

可选地，所述清洗机旋转台的转速为400～600rmp。

可选地，所述清洗机喷嘴在晶圆中心位置停留且喷出清洗液的总的时间为10s。

可选地，所述清洗机喷嘴在晶圆的一侧边缘和其相对另一侧边缘之间来回移动且喷出清洗液的总的时间为36～44s。

可选地，所述喷嘴沿着直径方向，在晶圆的一侧边缘和其相对的另一侧边缘之间来回移动的速度为30～50毫米/秒。

可选地，所述清洗机喷嘴在介于晶圆圆心和晶圆边缘之间的中间位置停留且喷出清洗液的总的时间为4～12s。

可选地，所述介于晶圆圆心和晶圆边缘之间的中间位置位于一个环形区域内。

可选地，所述环形区域的外圆周半径为3/5晶圆半径，内圆周半径为2/5晶圆半径。

与现有技术相比，本发明的实施例具有以下优点：

首先，在本发明实施例所提供的晶圆清洗方法中，在清洗机喷嘴沿着直径方向在晶圆的一侧边缘和其相对的另一侧边缘之间来回移动并喷出清洗液对晶圆进行清洗之后，还将所述清洗机喷嘴移至介于晶圆圆心和晶圆边缘之间的中间位置并喷出清洗液继续对晶圆进行清洗。彻底地清洗和去除在晶圆圆心和边缘之间的位置出现的镍铂金属残留带，使得晶圆表面的镍铂残留物进一步减少，甚至消除，从而减少所述镍铂残留物对晶圆表面所形成的元器件产生不良影响。