[发明专利]晶体硅块的切割方法有效

专利信息
申请号: 201110460018.6 申请日: 2011-12-31
公开(公告)号: CN103538157A 公开(公告)日: 2014-01-29
发明(设计)人: 冯文宏 申请(专利权)人: 英利能源(中国)有限公司
主分类号: B28D5/04 分类号: B28D5/04
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明
地址: 071051 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 晶体 切割 方法
【权利要求书】:

1.一种晶体硅块的切割方法,其特征在于,包括:

1)检测所述晶体硅块,去除所述晶体硅块的头尾;

2)将固化组分和溶解组分按一定的比例进行混合,制取硅胶;

3)将夹板放置在切割平台上;

4)采用所述硅胶将若干所述晶体硅块紧挨布置、并粘接在所述夹板上,在相邻的两个所述晶体硅块间的缝隙内填充满所述硅胶;

5)刮平所述晶体硅块与所述夹板间、所述晶体硅块间多余的所述硅胶;

6)待粘接所述晶体硅块与所述夹板和位于所述缝隙内的所述硅胶晾干后,切割所述晶体硅块。

2.根据权利要求1所述的切割方法,其特征在于,所述步骤1)采用红外探伤测试仪对所述晶体硅块进行检测。

3.根据权利要求1所述的切割方法,其特征在于,所述步骤1)和步骤2)之间还包括:去除所述晶体硅块的角边料。

4.根据权利要求1所述的切割方法,其特征在于,所述步骤6)中切割所述晶体硅块具体操作为:采用多线切割方法切割所述晶体硅块。

5.根据权利要求4所述的切割方法,其特征在于,所述步骤6)具体为:

61)将所述晶体硅块切割成晶体硅条;

62)将所述晶体硅条切割成晶体硅片。

6.根据权利要求5所述的切割方法,其特征在于,所述步骤61)和步骤62)中切割方向均平行于晶格的生长方向。

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