[发明专利]堆叠式半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种堆叠式半导体封装结构，所述堆叠式半导体封装结构包括第一封装体和第二封装体，

第一封装体包括：

第一载体，包括第一表面和背对第一表面的第二表面；

第一芯片，设置在第一载体的第一表面上，电连接到第一载体的第一表面，并包括面对第一载体的第一表面和背对第一载体的第二表面；

第一导电构件，包括第一端和第二端，第一端设置在第一芯片的第二表面上并电连接到第一芯片的第二表面；以及

第一塑封体，覆盖第一载体的第一表面、第一芯片的第二表面和第一导电构件的第一端，并暴露第一导电构件的第二端；

第二封装体包括：

第二载体，包括第一表面和背对第一表面的第二表面；

第二芯片，设置在第二载体的第一表面上并电连接到第二载体的第一表面；

第二导电构件，从第二载体的第二表面突出并通过第二载体电连接到第二芯片；以及

第二塑封体，覆盖第二载体的第一表面和第二芯片；

其特征在于，第二导电构件插入第一导电构件的第二端中。

2.根据权利要求1所述的堆叠式半导体封装结构，其特征在于，第一芯片通过引线键合或倒装的方式电连接到第一载体的第一表面。

3.根据权利要求1所述的堆叠式半导体封装结构，其特征在于，第二芯片通过引线键合或倒装的方式电连接到第二载体的第一表面。

4.根据权利要求1所述的堆叠式半导体封装结构，其特征在于，第一导电构件的第二端的外表面与第一塑封体的外表面共面。

5.根据权利要求1所述的堆叠式半导体封装结构，其特征在于，第二载体的第二表面紧靠第一塑封体的外表面。

6.根据权利要求1所述的堆叠式半导体封装结构，其特征在于，第一导电构件是焊球。

7.根据权利要求1所述的堆叠式半导体封装结构，其特征在于，第二导电构件是铜柱。

8.一种制造堆叠式半导体封装结构的方法，其特征在于包括下述步骤：

准备第一封装体，第一封装体包括：

第一载体，包括第一表面和背对第一表面的第二表面；

第一芯片，设置在第一载体的第一表面上，电连接到第一载体的第一表面，并包括面对第一载体的第一表面和背对第一载体的第二表面；

第一导电构件，包括第一端和第二端，第一端设置在第一芯片的第二表面上并电连接到第一芯片的第二表面；以及

第一塑封体，覆盖第一载体的第一表面、第一芯片的第二表面和第一导电构件的第一端，并暴露第一导电构件的第二端；

准备第二封装体，第二封装体包括：

第二载体，包括第一表面和背对第一表面的第二表面；

第二芯片，设置在第二载体的第一表面上，电连接到第二载体的第一表面；

第二导电构件，从第二载体的第二表面突出并通过第二载体电连接到第二芯片；以及

第二塑封体，覆盖第二载体的第一表面和第二芯片；

将第二导电构件插入第一导电构件的第二端中。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，准备第一封装体的步骤包括将第一芯片通过引线键合或倒装的方式电连接到第一载体的第一表面。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，准备第二封装体的步骤包括将第二芯片通过引线键合或倒装的方式电连接到第二载体的第一表面。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，准备第一封装体的步骤包括将第一导电构件的第二端的外表面构造成与第一塑封体的外表面共面。

12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，执行将第二导电构件插入第一导电构件的第二端中的步骤，使得第二载体的第二表面紧靠第一塑封体的外表面。

13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，准备第一封装体的步骤包括在第一芯片的第二表面上形成焊球作为第一导电构件。

14.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，准备第二封装体的步骤包括在第二载体的第二表面上形成铜柱作为第二导电构件。

15.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在将第二导电构件插入第一导电构件的第二端中的步骤之前，加热第一封装体使得第一导电构件熔化或软化。