[发明专利]晶片封装体及其形成方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一第一晶片；

一第二晶片，设置于该第一晶片之上；

一孔洞，自该第一晶片的一表面朝向该第二晶片延伸；

一导电层，设置于该第一晶片的该表面上，且延伸进入该孔洞而与该第一晶片中的一导电区或掺杂区电性连接；以及

一支撑块体，设置于该第一晶片与该第二晶片之间，且该支撑块体完全覆盖该孔洞的一底部。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

一保护层，设置于该第一晶片的该表面上；以及

一导电凸块，设置于该第一晶片的该表面上，且电性连接该导电层。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一连接块体，设置于该第二晶片与该第一晶片之间，该连接块体连接该第二晶片与该支撑块体。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一晶片包括一控制晶片，而该第二晶片包括一MEMS晶片。

5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一绝缘层，位于该导电层与该第一晶片之间。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一晶片包括一MEMS晶片，而该第二晶片包括一控制晶片。

7.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，该第一晶片包括一承载基底及一半导体层，其中该孔洞自该承载基底朝该半导体层延伸，且露出该半导体层中的一掺杂区。

8.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该支撑块体与该孔洞的一底部隔有一间距而不直接接触该孔洞的该底部。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一密封环结构，设置于该第一晶片与该第二晶片之间，且该密封环结构设置于该第一晶片及/或该第二晶片的外围之上，而包围该第一晶片及/或该第二晶片上的一元件区。

10.根据权利要求9所述的晶片封装体，其特征在于，该密封环结构包括形成于该第一晶片的该表面上的一第一连接层及形成于该第二晶片上的一第二连接层。

11.根据权利要求10所述的晶片封装体，其特征在于，该第一连接层的材质与该支撑块体的材质相同。

12.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括至少一辅助支撑结构，设置于该第一晶片与该第二晶片之间。

13.一种晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括：

提供一第一基底；

于该第一基底的一第一表面上形成一支撑块体；

提供一第二基底；

将该第二基底接合于该第一基底的该第一表面上；

自该第一基底的一第二表面移除部分的该第一基底以形成朝该第一基底上的该支撑块体延伸的一孔洞，其中该支撑块体完全覆盖该孔洞的一底部；以及

于该第一基底的该第二表面上形成一导电层，其中该导电层延伸进入该孔洞，且电性连接该第一基底中的一导电区或掺杂区。

14.根据权利要求13所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括：

于该第一基底的该第二表面上形成一保护层，其中该保护层具有一开口，露出部分的该导电层；以及

于露出的该导电层之上形成一导电凸块。

15.根据权利要求13所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括切割该第一基底及该第二基底以形成至少一晶片封装体。

16.根据权利要求13所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括：

于该第二基底的一表面上形成一连接块体；以及

以该连接块体连接该第一基底及该第二基底。

17.根据权利要求16所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该连接块体直接接合该支撑块体。

18.根据权利要求16所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括于该第一基底与该第二基底之间设置至少一密封环结构，其中该密封环结构包围该第一基底及/或该第二基底上的一元件区。

19.根据权利要求18所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该密封环结构于将该连接块体直接接合该支撑块体的步骤时形成。