[发明专利]晶片封装体及其形成方法

说明书

技术领域

本发明有关于晶片封装体，且特别是有关于堆叠有至少两晶片的晶片封装体。

背景技术

晶片封装制程是形成电子产品过程中的一重要步骤。晶片封装体除了将晶片保护于其中，使免受外界环境污染外，还提供晶片内部电子元件与外界的电性连接通路。

提高晶片封装体的可靠度与结构稳定性已成为重要课题。

发明内容

本发明一实施例提供一种晶片封装体，包括：一第一晶片；一第二晶片，设置于该第一晶片之上；一孔洞，自该第一晶片的一表面朝向该第二晶片延伸；一导电层，设置于该第一晶片的该表面上，且延伸进入该孔洞而与该第一晶片中的一导电区或掺杂区电性连接；以及一支撑块体，设置于该第一晶片与该第二晶片之间，且该支撑块体完全覆盖该孔洞的一底部。

本发明所述的晶片封装体，还包括：一保护层，设置于该第一晶片的该表面上；以及一导电凸块，设置于该第一晶片的该表面上，且电性连接该导电层。

本发明所述的晶片封装体，还包括一连接块体，设置于该第二晶片与该第一晶片之间，该连接块体连接该第二晶片与该支撑块体。

本发明所述的晶片封装体，其中，该第一晶片包括一控制晶片，而该第二晶片包括一MEMS晶片。

本发明所述的晶片封装体，还包括一绝缘层，位于该导电层与该第一晶片之间。

本发明所述的晶片封装体，该第一晶片包括一MEMS晶片，而该第二晶片包括一控制晶片。

本发明所述的晶片封装体，其中，该第一晶片包括一承载基底及一半导体层，其中该孔洞自该承载基底朝该半导体层延伸，且露出该半导体层中的一掺杂区。

本发明所述的晶片封装体，其中，该支撑块体与该孔洞的一底部隔有一间距而不直接接触该孔洞的该底部。

本发明所述的晶片封装体，还包括一密封环结构，设置于该第一晶片与该第二晶片之间，且该密封环结构设置于该第一晶片及/或该第二晶片的外围之上，而包围该第一晶片及/或该第二晶片上的一元件区。

本发明所述的晶片封装体，其中，该密封环结构包括形成于该第一晶片的该表面上的一第一连接层及形成于该第二晶片上的一第二连接层。

本发明所述的晶片封装体，其中，该第一连接层的材质与该支撑块体的材质相同。

本发明所述的晶片封装体，还包括至少一辅助支撑结构，设置于该第一晶片与该第二晶片之间。

本发明一实施例提供一种晶片封装体的形成方法，包括：提供一第一基底；于该第一基底的一表面上形成一支撑块体；提供一第二基底；将该第二基底接合于该第一基底的该表面上；自该第一基底的一第二表面移除部分的该第一基底以形成朝该第一基底上的该支撑块体延伸的一孔洞，其中该支撑块体完全覆盖该孔洞的一底部；以及于该第一基底的该第二表面上形成一导电层，其中该导电层延伸进入该孔洞，且电性连接该第一基底中的一导电区或掺杂区。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，还包括：于该第一基底的该第二表面上形成一保护层，其中该保护层具有一开口，露出部分的该导电层；以及于露出的该导电层之上形成一导电凸块。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，还包括切割该第一基底及该第二基底以形成至少一晶片封装体。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，还包括：于该第二基底的一表面上形成一连接块体；以及以该连接块体连接该第一基底及该第二基底。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，其中，该连接块体直接接合该支撑块体。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，还包括于该第一基底与该第二基底之间设置至少一密封环结构，其中该密封环结构包围该第一基底及/或该第二基底上的一元件区。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，其中，该密封环结构于将该连接块体直接接合该支撑块体的步骤时形成。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，其中，在形成该孔洞之前，还包括薄化该第一基底。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，还包括于该第一基底与该第二基底之间设置至少一辅助支撑结构。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，其中，该第一基底及该第二基底为两半导体晶圆。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，还包括于该第一基底与该第二基底之间设置一晶圆边缘密封环，该晶圆边缘密封环、该第一基底及该第二基底共同形成一空腔。

本发明可提升晶片封装体的可靠度。

附图说明

图1A-1I显示根据本发明一实施例的晶片封装体的制程剖面图。