[发明专利]一种多晶硅薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅薄膜的制造方法，包括：

1)、在衬底表面上形成条状的凸齿，凸齿之间具有凹槽，凸齿的横截面为矩形；

2)、沉积多晶硅薄膜，均匀地覆盖凸齿的顶部以及凹槽的侧壁和底部；

3)、对多晶硅薄膜进行离子注入，离子注入的角度使部分多晶硅薄膜被掺杂，同时使部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，凸齿宽度为400nm，凹槽的宽度为600nm、深度为500nm。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，步骤1)中，先在衬底上沉积一层厚度为600nm的低温氧化物，再把低温氧化物刻蚀成表面具有条状凸齿的结构。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，离子注入的方向垂直于衬底表面。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，凸齿顶部和凹槽底部的多晶硅薄膜被掺杂，凹槽侧壁的多晶硅薄膜未被掺杂。

6.一种多晶硅薄膜，该薄膜生长在具有条状凸齿的衬底表面上，衬底表面上的凸齿之间具有凹槽，凸齿的横截面为矩形，该多晶硅薄膜均匀地覆盖凸齿的顶部以及凹槽的侧壁和底部，部分多晶硅薄膜被掺杂，部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线。

7.根据权利要求6所述的多晶硅薄膜，其中，凸齿宽度为400nm，凹槽的宽度为600nm、深度为500nm。

8.根据权利要求6所述的多晶硅薄膜，其中，衬底表面的凸齿结构通过如下方法形成：先在衬底上沉积一层厚度为600nm的低温氧化物，再把低温氧化物刻蚀成表面具有条状凸齿的结构。

9.根据权利要求6所述的多晶硅薄膜，其中，多晶硅薄膜通过离子注入的方式被掺杂，离子注入的方向垂直于衬底表面。

10.根据权利要求6所述的多晶硅薄膜，其中，凸齿顶部和凹槽底部的多晶硅薄膜被掺杂，凹槽侧壁的多晶硅薄膜未被掺杂。