[发明专利]具有提高效率的热电模块无效
申请号: | 201110463186.0 | 申请日: | 2011-11-28 |
公开(公告)号: | CN102569628A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | N·凯劳尔特;C·吉劳德;J·艾马米 | 申请(专利权)人: | 施耐德电器工业公司 |
主分类号: | H01L35/04 | 分类号: | H01L35/04;H01L35/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王冉 |
地址: | 法国吕埃*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 提高效率 热电 模块 | ||
技术领域
本发明涉及一种热电模块,其含有具有N型和P型两个热电芯片的结的矩阵,所述结电连接以形成电路。电路中流动的电流通过珀尔帖效应加热矩阵表面。矩阵表面的加热通过塞贝克效应使得电流在电路中流动。
背景技术
配置在一起的N型和P型热电芯片来建立热电能量转换器的使用是已知的。
如在图1中显示的以及在专利申请FR2775123和EP1331674中描述的,将热电转换器或模块设置为固定于底层130和顶层140间。
热电转换器或模块M包含由具有交替设置的P型和N型热电芯片31和32的至少一列构成的矩阵。这样同一类型的两个元件被另一类型的元件隔开。
通过分别设置在芯片相反面上的第一和第二触头11和21将芯片串联电连接。如在图1中清楚示出的,每个N型电极31在其一侧由第1触头11通过设置在底层130上的传导迹线12与相邻的P型电极32连接,并且在另一侧由第触头21通过设置在顶层140上的传导迹线22与它的另一相邻P型电极32连接。以同样的并且非常明显的方式,每个P型电极32在其一侧由第1触头11通过设置在底层130上的迹线12与相邻的N型电极31连接,并且在另一侧由第二触头21通过设置在顶层140上的迹线22与它的另一相邻N型电极31连接。
这种元件结构的小厚度和硬度意味着在其端部的温差随着时间减小。如果温差变小,那么热产生器将无法运行。
为了维持需要的温差,热电转换器或模块需要与热交换器连接。为了冷却或加热的目的,热交换器最好能含有具有热消散鳍的基体和作为热消散面的面板。
这种热交换器的存在显著地增加了产品体积从而使得后者难以集成到某些产品中。
如在专利申请US2003042497中描述的另一方法是通过精确管理温度梯度和新的电极配置使得产品效率提高。事实上结电极以堆叠薄层形式设置。但是,由于它的小厚度,这种情况会面临如前面的同样的问题。
发明内容
因此本发明的目的是克服现有技术的缺陷而提出的具有提高效率的热电模块。
根据本发明的模块包含彼此由热绝缘体分离的第一和第二组结,第一组包含至少一个具有N型和P型两热电芯片的结,并且第二组包含至少一个具有N型和P型两热电芯片的结,第一和第二组结各自暴露于第一和第二温度。这两个N型和P型芯片通过在绝缘衬底上薄层的沉积而以平面形状堆叠在绝缘衬底上。第一组的第一结的至少一个N型芯片与第二组的第一结的P型或N型芯片电连接。
根据本发明的改进方式,将第一组的第一结的至少一个N型芯片与第二组的第一结的P型芯片串联连接以增加电压。
优选第一组的第一结的N型芯片与第二组的第一结的P型芯片串联连接并且第一组的第一结的P型芯片与第二组的第二结的N型芯片串联连接。
根据本发明的另一改进方式,将第一组的至少第一结的N型芯片与第二组的至少第一结的N型芯片并联连接,并且将第一组的所述至少第一结的P型芯片与第二组的所述至少第一结的P型芯片并联连接来增加电流密度。
有利地,分离两组结的热绝缘体是空气,其使存在于第一和第二温度间的温差得以保持。
附图说明
从对本发明具体实施例的以下描述将使得其他优点和特征变得更加清楚明显,其仅作为非限制性示例给出并在附图中得以描绘,其中:
图1显示了根据已知方式的热电模块的示意图;
图2显示了根据本发明优选实施例的热电模块的示意图;
图3显示了根据本发明第二优选实施例的热电模块的示意图。
具体实施方式
根据如在图2和图3中显示的实施方式,热电模块包含由两个面限定的且包含分别具有两个N型和P型热电芯片31和32的结10的矩阵。所述结电连接以形成电路。
结10彼此电连接这样在选择方向上流动的电流I通过由芯片能级产生的珀尔帖效应加热或冷却矩阵的一个表面。进一步地,加热或冷却的矩阵的一个表面通过由芯片能级产生的塞贝克效应使得电流在给定方向上流动。
根据本发明的实施方式,热电模块包含含有至少一个具有两个N型和P型热电芯片31、32的结10的第一组100。所述第一组结暴露于第一操作温度T1。第二组101包含至少一个具有两个P型和N型热电芯片31、3的结10。第二组结暴露于第二操作温度T2。第二温度T2低于第一温度T1。作为一个具体实例,第一温度T1可达到-10℃并且第二温度T2可达到140℃。
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