[实用新型]一种光刻版无效
| 申请号： | 201120000925.8 | 申请日： | 2011-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN201945799U | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 关世瑛;杨忠武;王金秋;赵晖;冷国庆;任宏志 | 申请（专利权）人： | 黑龙江八达通用微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150078 黑龙江省*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 | ||
1.一种步进式光刻机的光刻版，其特征在于：
A、光刻版套准标记(1)布局于光刻版BLOK区(0)顶部的划片线(3)中，位于划片线(3)的交叉点上，不占用主管芯(4)面积，提高芯片利用率；
B、光刻版BLOK区(0)的顶部具有反处理保护的叠加区(5)，布阵列时不影响主管芯(4)图形；
C、光刻版BLOK区(0)具有反处理保护的标记叠加区(2)，布阵列时与BLOK区(0)顶部的套准标记(1)重叠，保证为下一次套刻保留完整的套准标记；
D、光刻版BLOK区(0)具有的叠加区(5)，满足步进光刻机重叠布阵。
2.如权利要求1所述的一种步进式光刻机的光刻版，其特征在于：所述的光刻版套准标记(1)布局于光刻版BLOK区(0)的顶部窄划片线(3)交叉区。
3.如权利要求1所述的一种步进式光刻机的光刻版，其特征在于：所述的光刻版BLOK区(0)的顶部的叠加区(5)，为布阵列时与下一个光刻版BLOK区(0)底部重叠区。
4.如权利要求1所述的一种步进式光刻机的光刻版，其特征在于：所述的光刻版BLOK区(0)的标记叠加区(2)，为布阵列时与下一个光刻版BLOK区(0)顶部套准标记(1)重叠区。
5.如权利要求1所述的一种步进式光刻机的光刻版，其特征在于：所述的光刻版BLOK区(0)布阵列时，满足步进光刻机重叠步进叠加区(5)。
6.如权利要求1所述的一种步进式光刻机的光刻版，其特征在于：每层光刻版BLOK区(0)都采用增加相同的叠加区(5)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黑龙江八达通用微电子有限公司，未经黑龙江八达通用微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120000925.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：玻璃瓶专用贴标装置
- 下一篇：卫浴换气热回收热水器
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
